CoolSiC™ MOSFETはG2で新時代へ

パワーシステムとエネルギー変換の新たなページを開き、次世代の炭化ケイ素 (SiC) MOSFETトレンチ技術を採用した、インフィニオンの新しい CoolSiC™ MOSFET 1200 V Generation 2が登場しました。電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20%向上させ、全体的なエネルギー効率を高めるととともに脱炭素化に一層寄与します。

*1200 V製品は12品種を取り揃えています。このほか品種のデータシートは、G2製品ページの製品セレクターよりダウンロードいただけます。

• 独インフィニオン、SiCパワー半導体拡充　スイッチング損失低減
  日刊工業新聞 (2024/4/24)
• インフィニオンが低損失な第2世代SiC、耐圧400V品で新領域狙う
  日経xTECH (2024/4/18)
• Infineon,SiCのセルの微細化、新ダイボンディング技術で性能・信頼性を向上
  セミコンポータル (2024/4/18)
• インフィニオンのSiC-MOSFETは第2世代へ、質も量も圧倒
  MONOist (2024/04/15)
• インフィニオンがSiCの熱抵抗を12％改善　EVやAIサーバーの電力供給に
  電波新聞デジタル (2024/04/16) 
• Infineon、第2世代SiCデバイス「CoolSiC MOSFET」を発表
  マイナビニュース (2024/04/12)