FF3MR20KM1H 2000 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
综述
2000 V的62 mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块（2.6 mΩ G1），采用著名的62 mm封装和M1H芯片技术，另可提供预涂热界面材料（TIM）版本。
特征描述
- 高电流密度
- 低开关损耗
- 优异的栅极氧化层可靠性
- 坚固耐用的集成体二极管
- 抗宇宙射线能力强
- 高速开关模块
- 对称模块设计
- 标准工艺
优势
- 尽可能地减少散热需求
- 缩小体积和尺寸
- 降低系统成本
- 提高芯片性能
图表
培训
支持
