碳化硅CoolSiC™ MOSFET模块-英飞凌(infineon)官网
CoolSiC™ MOSFET模块技术采用不同封装和拓扑
英飞凌CoolSiC™ MOSFET功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会，助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅（SiC）半导体作为开关使用时，可支持更高的工作温度和开关频率，同时还支持更高的效率，从而提升系统总体效率。此外，碳化硅（SiC）功率模块可以根据不同的应用需求进行定制，并且可以采用导通电阻RDS(on)从45 mW到2 mW不等的拓扑结构。
我们的碳化硅CoolSiC™ MOSFET功率模块采用不同的配置，如三电平、半桥、四单元、六单元或升压配置，我们的1200 V SiC MOSFET模块具备最先进沟槽设计所实现的出色的栅氧化层可靠性、一流的开关和导通损耗。
不仅所有的EasyPACK™、EasyDUAL™和62mm CoolSiC™ MOSFET功率模块均可在订购时采用预涂热界面材料（TIM），而且还可提供其他功能。譬如，我们的Easy模块采用高性能氮化铝（AlN）陶瓷，显著改善了热性能（RthJH）。
新一代 M1H Easy和62毫米模块即将问世
SiC MOSFET 1200 V门极驱动芯片
CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片
CoolSiC™ MOSFET 网络研讨会
观看我们的网络研讨会，了解更多关于硅材料与碳化硅和氮化镓功率器件在高、低功率应用中的技术定位。.
CoolSiC™ MOSFET 微学习
Understand why to use WBG switches for bi-directional converters, the topologies used and how they function.
您如果想成为 CoolSic™ 分立器件和 .XT 技术的专家，请观看此视频！
随着电动汽车市场的不断壮大，行业对充电桩的性能提出了更多要求。
本次在线学习将向您介绍 CoolSiC™ MOSFET 的出现改善了充电桩行业，使电动汽车充电器更小、更快、更高效。
本培训将向您介绍 CoolSic™ 将如何帮助设计下一代伺服驱动器。
驱动CoolSiC™ MOSFET 比你想象的容易的多。这个微学习会向你展示CoolSiC™ MOSFET甚至可以用0V门级电压关断。
通过本培训，您将学习如何计算碳化硅 MOSFET 的参考栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗要求确定合适的栅极驱动 IC，以及如何根据最差情况在实验室环境中微调栅极电阻值。
了解如何使用英飞凌 CoolSiC™ MOSFET SPICE 紧凑型模型优化器件在其应用中的特性。
在本视频中，您将重点比较 IGBT 和 SiC MOSFET 的功率处理能力，了解在为特定应用确定 IGBT 或 MOSFET 尺寸时需要考虑的不同方面。
了解并联 SiC MOSFET 模块的原因、栅极驱动器和电源布局设计的主要挑战和解决方案，并熟悉优化的系统回路电感，以最大限度地降低开关损耗。
了解 SiC MOSFET 模块并联背后的原因，以及栅极驱动器和电源布局设计的关键挑战和解决方案。了解优化的系统回路电感，最大限度降低开关损耗的解决方案。
了解 1500 V 光伏系统的最新发展趋势、挑战和技术，接受 1500 V 光伏市场全面解决方案培训。
- 区分英飞凌 CoolSiC™ 解决方案在目标应用中的特性和优势，并了解英飞凌可完全扩展的 CoolSiC™ 产品系列，以应对此汽车市场转型
- 解释在汽车应用中越来越多地引入碳化硅技术的原因
通过观看本次在线学习，您将：
- 了解封装电感
- 了解宽禁带晶体管更易受到封装电感影响的原因，以及
- 判断哪些英飞凌封装类型具有较低的电感
英飞凌在所有 3 种主要的功率半导体技术方面都能提供值得信赖的专业技术。查看如何在 AC-DC 应用中对其进行定位！
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英飞凌 650V CoolSiC™ MOSFET 可完美应对不断发展的大趋势：更高的效率和功率密度。
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650 V CoolSiC™ 技术参数与 600 V CoolMOS™ CFD7 的直接比较。
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了解主要目标拓扑结构和 650 V CoolSic™ 必须包含的优势。
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了解关键设计信息，充分发挥 650 V CoolSiC™ 的优势。
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