FF1MR12KM1H 1200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块
综述
1200 V、62 mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块（1.6 mΩ G1），采用著名的62mm封装，并结合M1H芯片技术，另提供预涂热界面材料（TIM）版本。
特征描述
- 高电流密度
- 低开关损耗
- 优异的栅极氧化层可靠性
- 坚固耐用的集成体二极管
- 抗宇宙射线能力强
- 高速开关模块
- 对称模块设计
- 标准工艺
优势
- 尽可能地减少散热需求
- 高开关频率
- 缩小体积和尺寸
- 降低系统成本
图表
支持
