IMWH170R1K0M1 采用TO247-3-HCC封装的1700 V 1000 mΩ CoolSiC™ MOSFET G1单管
综述
CoolSiC™ MOSFET 1700 V、1000 mΩ 采用 TO247-3-HCC 封装，适用于各种功率转换应用中与直流母线电压 600 V 至 1000 V 相连的单端反激式辅助电源。其主要特点包括：可由反激式控制器直接驱动，无需栅极驱动器 IC；采用 .XT 互连技术，具有出色的散热性能；采用高爬电距离封装，提高了可靠性。
特征描述
- 针对反激拓扑进行优化
- 极低开关损耗
- 12 V / 0 V 栅源电压
- 兼容反激控制器
- 栅极阈值电压VGS(th) = 4.5 V
- .XT互连技术
- 高爬电距离封装
优势
- 提高辅助电源的效率
- 优化热性能和热阻
- 可简化绝缘设计的TO247封装
- 无需栅极驱动器
- 降低系统复杂性
- 更高功率密度
- 适应恶劣环境
图表
支持
