IR25600

综述

25 V dual low-side gate driver IC

双低边驱动器 IC,具有典型的 2.3 A 拉电流和 3.3 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。

特征描述

  • 栅极驱动电源范围：6 V 至 20V
  • CMOS 施密特触发输入
  • 双通道的匹配传播延迟
  • 输出与输入同相

潜在应用

图表
视频

An Introduction to Infineon Gate Drivers

What is a gate driver? Why use a gate driver? How to use a gate driver? Watch our introduction video and become a gate driver expert.

培训

如何为IGBT分立器件和模块选择栅极驱动

通过该培训，您将了解如何计算驱动不同IGBT所需的栅极电阻值，如何根据峰值电流和功耗需求确定合适的栅极驱动芯片，以及如何在实验室中，根据实际应用环境的最坏情况对栅极电阻值进行微调。

如何选择用于 SiC MOSFET 及 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器？

碳化硅 MOSFET 为电力电子领域带来众多机遇。然而，如何通过使用配备合适栅极驱动器的碳化硅 MOSFET 来实现充足的系统效益？本培训将帮助您学习如何计算碳化硅 MOSFET 的栅极电阻参考值，如何依据峰值电流和功率耗散要求来确定合适的栅极驱动 IC，以及如何在实验室环境中根据最坏条件微调栅极电阻值。

硅、碳化硅还是氮化镓？功率器件的正确之选

Infineon on demand webminar Si, SiC or GaN?

观看的网络研讨会，了解更多关于硅、碳化硅和氮化镓功率器件在高功率和低功率应用中的技术定位。

Click to see more
支持