IDFW40E65D1E
综述
650 V silicon power diode in TO-247 package
特征描述
- 650V 发射极控制技术
- 关键参数高温度稳定性
- 低正向电压 (VF)
- 低反向恢复电荷 (Qrr)
- 低反向恢复电流 (Irrm)
- 软化系数 > 1
- 最高结温为 175°C
- 2500 VRMS 电气隔离,50/60 Hz,t = 1 分钟
- 100 % 通过检测的隔离封装面
- 无铅镀层;符合 RoHS
- 根据 JEDEC[1]47/20/22 相关测试,符合工业应用要求
优势
- 无需使用隔离材料和导热脂
- 与采用隔离箔的标准 TO-247 相比,组装时间缩短 35%
- 消除隔离箔未对齐情况,提高产量
- 与采用隔离材料的标准 TO-247 相比,Tc 可降低 至10°C
- Iout 增加高达 20%,支持更高的功率输出
- 全面制造工艺控制
- 容易并联
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