Infineon präsentiert auf der APEC 2015 energieeffiziente GaN-on-Silicon-Leistungsbausteine mit Enhancement-Mode- und Cascode-Konfiguration

17.03.2015 | Fachpresse

München, 17. März 2015 – Die Infineon Technologies AG erweitert die Gallium-Nitrid-(GaN)-on-Silicon-Technologie und das entsprechende Produkt-Portfolio. Das Unternehmen bietet nun GaN-basierte Plattformen sowohl mit Enhancement-Mode- als auch Cascode-Konfiguration für hochleistungsfähige Applikationen an, die eine bestmögliche Energieeffizienz erfordern. Zu den typischen Anwendungen zählen Schaltnetzteile (SMPS) in Servern, Telekom-Applikationen, mobilen Leistungs- und Konsumprodukten wie auch Class D-Audiosystemen. Dank der GaN-Technologie können Stromversorgungen signifikant kleiner und leichter werden. Dies eröffnet neue Möglichkeiten für innovative Endprodukte wie extrem flache LED-TV-Geräte.

„Das GaN-on-Silicon-Portfolio von Infineon in Kombination mit der Übernahme der GaN-Plattform von International Rectifier und unserer Partnerschaft mit Panasonic positioniert Infineon als Technologieführer im vielversprechenden GaN-Markt“, sagte Andreas Urschitz, Präsident des Geschäftsbereiches Power Management & Multimarket der Infineon Technologies AG. „Entsprechend unseres strategischen Ansatzes ‚Vom Produkt zum System‘ können unsere Kunden nun für ihre jeweilige Anwendung zwischen Enhancement-Mode- und Cascode-Konfiguration wählen. Gleichzeitig wird Infineon ein Gehäuse für die Oberflächenmontage (SMD) und ICs entwickeln, um die Vorteile von GaN auch in sehr kompakten Formaten bereitzustellen. Ein Beispiel aus unserem tägliche Leben verdeutlicht den Nutzen von GaN für die Verbraucher: Mit dieser Technologie lässt sich jetzt ein Ladegerät für Laptops produzieren, das viermal kleiner und leichter als die heute üblichen ist“, fügte er hinzu.

Infineon erweitert das Produktangebot ebenso um spezielle Treiber und Controller-ICs, die entsprechende Topologien und höhere Frequenzen ermöglichen. Hiermit können die Vorteile von GaN voll ausgeschöpft werden. Das Portfolio wird auch um weitere Patente, einen GaN-on-Silicon-Epitaxie-Prozess und 100 – 600-V-Technologien erweitert, die mit der Übernahme von International Rectifier einhergehen. Zusätzlich werden Infineon und Panasonic auf Basis einer strategischen Partnerschaft gemeinsam Bausteine einführen, die die Enhancement Mode-GaN-on-Silicon-Transistorstruktur (Normally-off) von Panasonic in SMD-Gehäuse von Infineon integrieren. Damit stehen hoch effiziente, einfach einzusetzende 600-V-GaN-Bausteine mit der zusätzlichen Sicherheit von zwei Lieferquellen zur Verfügung.

So bietet Infineon nun GaN-Technologie in Kombination mit weitreichender System-Expertise sowie dem umfassendsten Portfolio an Technologien und Produkten an. Darüber hinaus verfügt das Unternehmen über die modernsten Fertigungseinrichtungen für die Volumen-Produktion sowie eine Second-Source für GaN-Leistungsbausteine (Normally-off) in einem SMD-Gehäuse von Infineon.

Die GaN-on-Silicon-Technologie ermöglicht gegenüber Silizium-basierten Lösungen eine höhere Leistungsdichte und einen besseren Wirkungsgrad bei weniger Platzbedarf. Daher ist diese Technologie prädestiniert für zahlreiche Anwendungen, von Konsumprodukten wie TV-Stromversorgungen über Class D-Audiover-stärkern bis hin zu Schaltnetzteilen in Servern und Telekom-Einrichtungen. Einem Marktforschungsbericht von IHS zufolge wird der Markt für auf GaN-on-Silicon basierende Leistungshalbleiter voraussichtlich mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von mehr als 50 Prozent ansteigen. Die Marktgröße, die 2014 laut IHS bei 15 Millionen USD lag, würde damit bis zum Jahre 2023 auf 800 Millionen USD zulegen.

Verfügbarkeit

Infineon und die Panasonic Corporation werden auf der APEC 2015 (Charlotte, North Carolina, 15. bis 19. März 2015) erste Muster von 600 V/70 mΩ-Bausteinen in einem DSO-Gehäuse präsentieren. Außerdem werden Demonstrationen der neuen Technologien sowohl mit Enhancement-Mode- als auch Cascode-Konfiguration zu sehen sein. Erste Muster der Enhancement-Mode-/Cascode-Bausteine werden Kunden unter NDA (Non-Disclosure Agreements) zur Verfügung stehen. Cascode-Bausteine in Serienproduktion für mittlere Spannungsklasse sind für entsprechende Class D Audio-Kunden lieferbar. Weitere Informationen unter  www.infineon.com/gan.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleitern. Produkte und Systemlösungen von Infineon helfen bei der Bewältigung von drei zentralen Herausforderungen der modernen Gesellschaft: Energieeffizienz, Mobilität und Sicherheit. Mit weltweit rund 29.800 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2014 (Ende September) einen Umsatz von 4,3 Milliarden Euro. Im Januar 2015 übernahm Infineon den US-Konzern International Rectifier Corporation, führend in Technologien für Power Management, mit einem Umsatz von 1,1 Milliarden US-Dollar (Geschäftsjahr 2014, per 29. Juni) und rund 4.200 Beschäftigten.

Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Informationsnummer

INFPMM201503-043