Infineon legt Rechtsstreit mit Fairchild Semiconductor bei

28.12.2009 | Fachpresse

Neubiberg, 28. Dezember 2009 – Die Infineon Technologies AG legt den mit Fairchild Semiconductor geführten Rechtsstreit wegen Patentverletzungen bei. Infineon hatte das Verfahren im November 2008 vor dem US-Gericht für den Bezirk Delaware angestrengt. Gegenstand der Auseinandersetzung waren 14 Patente zu Super-Junction-Leistungstransistoren sowie Trench-Leistungs-MOSFETs und IGBT-Leistungstransistoren.


Beigelegt wurde der Rechtsstreit durch ein umfassendes gegenseitiges Patentabkommen über Halbleitertechnologien. Im Rahmen dieser Vereinbarung wird Fairchild außerdem Zahlungen an Infineon leisten. Die konkreten Inhalte der Vereinbarung sind vertraulich. Infineon und Fairchild werden das zuständige US-Gericht für den Bezirk Delaware über die Einigung unterrichten und die Einstellung des Verfahrens beantragen.


Als führendes Unternehmen der Halbleiterindustrie spricht Infineon zurzeit mit mehreren Halbleiterherstellern über Patentlizenzen. Infineon misst diesen Gesprächen wesentliche Bedeutung für den fortgesetzten Schutz seines geistigen Eigentums und der Wahrung seiner wirtschaftlichen Interessen bei.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG bietet Halbleiter- und Systemlösungen, die drei zentrale Herausforderungen der modernen Gesellschaft adressieren: Energieeffizienz, Kommunikation sowie Sicherheit. Mit weltweit rund 25.650 Mitarbeitern und Mitarbeiterinnen erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2009 (Ende September) einen Umsatz von 3,03 Milliarden Euro. Das Unternehmen ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY" notiert.

Informationsnummer

INFXX200912.020