Infineon lizenziert Read-Channel-Technologie von Hitachi und bietet leistungsfähige Chip-Lösungen für Festplatten-Laufwerke

08.09.2004 | Fachpresse

München, 8. September 2004 – Infineon Technologies AG hat ein Lizenzabkommen mit Hitachi Global Storage Technologies (Hitachi GST) über die langfristige Nutzung von deren Read-Channel-Technologie für Festplatten-Laufwerke unterzeichnet. Laut Vereinbarung kann Infineon die Read-Channel-Technologie von Hitachi zur Entwicklung und Fertigung eigener System-on-Chip- (SoC) oder Stand-Alone-Read-Channel-Lösungen für Festplatten-Laufwerke nutzen. Die Vereinbarung umfasst Hitachis Read-Channel-Technologie für 0,13- Mikrometer- und 90-Nanometer-Prozesstechnologien und deren mögliche zukünftige Erweiterung.

„Wir begrüßen dieses Technologie-Lizenzabkommen mit Hitachi GST“, sagte Sandro Cerato, Leiter der ASIC- und Design-Lösungen bei Infineon Technologies. „Die Kombination aus Leistungsfähigkeit und Kosteneffizienz der Read-Channel-Technologie von Hitachi mit Infineons Expertise bei ASIC-Design und -Fertigung stärkt unsere Position als Zulieferer für Hersteller von Festplatten-Laufwerken.“

Die Read-Channel-Technologie von Hitachi unterstützt Datenraten von bis zu 1,8 Gbit/s auf Basis des 0,13-Mikrometer-Prozesses von Infineon und bietet erweiterte Funktionalität wie „Perpendicular Recording“. Die Chips haben sich in vorhergehenden Implementierungen sowohl als SoCs als auch reine Read-Channel-Konfigurationen bewährt. Muster mit 2,4 Gbit/s werden auf Basis des 90-Nanometer-Prozesses von Infineon ab Mitte 2005 verfügbar sein.

Hitachi GST wurde im Jahr 2003 im Rahmen einer strategischen Kooperation bei Speichertechnologien zwischen Hitachi und IBM gegründet. Das Unternehmen bietet weltweit das umfassendste Portfolio an Speicherprodukten für Desktop-Computer, leistungsfähige Server und mobile Geräte. Seine Technologiefortschritte verbessern beständig die Funktionalität und Leistungsfähigkeit von Festplatten-Laufwerken.

„Die Entwicklung der Read-Channel-Technologie zeigt erneut die hohe Innovationskraft und Ingenieurleistung von Hitachi“, sagte Steven Smith, Senior Director und Deputy General Manager für Advanced und Common Technology Development bei Hitachi Global Storage Technologies. „Infineon ist führend bei der Silizium-Integration und daher freuen wir uns über die Unterzeichnung des Lizenzabkommens.“

Im Januar 2004 hatten beide Firmen bekannt gegeben, dass Hitachi GST Chips von Infineon nutzt, um künftige Versionen seiner Deskstar Festplatten-Laufwerke mit 3 Gbit/s Native SATA (Serial ATA) auszustatten.

„Kunden fordern heute Lösungen mit größerer Leistungsfähigkeit bei gleichzeitig geringeren Kosten und höherem Integrationsgrad. Durch die Read-Channel-Technologie von Hitachi kann Infineon komplette SoC-Lösungen anbieten und unterstreicht somit sein Engagement im Hard-Disk-Drive-Markt“, sagte Dr. Reinhard Ploß, Leiter des Geschäftsbereichs Automobil- und Industrieelektronik bei Infineon.

Neue Generationen von ASIC- und Design-Lösungen können weltweit in verschieden Fertigungsstätten von Infineon mit 0,13-Mikrometer-Prozess produziert werden. Kunden profitieren von dieser Flexibilität, einem wichtigen Vorteil für die Festplatten-Industrie, besonders bei hochvolumigen Anwendungen wie Notebook- und Desktop-PCs sowie im Consumerbereich. Infineon nutzt die 0,13-Mikrometer-Technologie derzeit in seinen Fertigungsstandorten Altis Semiconductor in Frankreich, einem Joint-Venture mit IBM, seiner Fertigung in Dresden und bei UMC in Taiwan.

Über Infineon

Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere mobile Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 32.300 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2003 (Ende September) einen Umsatz von 6,15 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFAI200409.096