Infineon auf dem BCTM 2003 - Präsentationen aktueller Entwicklungen demonstrieren führende Stellung bei Bipolar/BiCMOS-Technologien

06.10.2003 | Fachpresse

München und Toulouse, Frankreich – 6. Oktober 2003 – Infineon präsentierte mehrere technische Vorträge auf dem Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM 2003) vom 28. bis 30. September in Toulouse. Das technische Programm auf dem BCTM umfasst neben Kurz-Seminaren verschiedene technische Präsentationen von eingeladenen Referenten. Vorträge wurden zu folgenden Themen gehalten: Hochfrequenz, Bauelemente-Physik, Prozesstechnologie, CAD und Modellierung, Analog-Design und Leistungsbauelemente.

Infineon war auf dem BCTM mit mehreren technischen Vorträgen vertreten, die aktuelle Entwicklungen im Bereich von schnellen Bipolar-Technologien vorstellten. Im Folgenden sind die Titel und kurze Zusammenfassungen der Präsentationen von Infineon aufgeführt.

A Comprehensive Experimental Study on Technology Options for Reduced Substrate Coupling in RF and High-Speed Bipolar Circuits



Die unerwünschte Verkopplung verschiedener Schaltungskomponenten durch das Substrat kann die Leistungsfähigkeit von sehr schnellen bzw. von Hochfrequenz-Schaltungen erheblich reduzieren. Daher werden in der Praxis üblicherweise Abschirmungsmaßnahmen wie z.B. auf Masse gelegte Substratkontaktringe verwendet. Dies ist aber bei sehr aggressiv ausgelegten Schaltungen oft nicht ausreichend. In solchen Fällen muss auch die verwendete Technologie optimiert werden. Dafür wurden verschiedene Substratmaterialien, Isolationsverfahren und Abschirmungsmethoden untersucht und ihr Einfluss auf die Substratkopplung durch Messung bestimmt.

Dielectric Reliability and Material Properties of Al 2O 3 in Metal Insulator Metal Capacitors (MIMCAP) for RF Bipolar Technologies in Comparison to SiO 2, SiN and Ta 2O 5



Hier wurden die Eigenschaften von Al 2O 3 als Dielektrikum in MIMCAP-Applikationen untersucht und speziell mit denen von SiO 2, SiN und Ta 2O 5 verglichen. Infineon hat damit erstmals Al 2O 3-MIMCAPs für Applikationen in HF-Technologien vollständig charakterisiert. Al 2O 3 kann ohne Abstriche bei der Zuverlässigkeit bis auf eine Dicke von 20nm herunterskaliert werden wodurch eine Kapazitätsdichte von 3,5 fF/µm² erreichbar ist. Hier werden die Eigenschaften von SiN oder SiO 2 deutlich übertroffen. Die C(V)-Nichtlinearität (etwa 100 ppm/V² @ 50 nm für den quadratischen Spannungskoeffizienten) und die dielektrischen Verluste (tanδ = 0,0024) erfüllen auch die hohen Anforderungen bei Analog- und HF-Applikationen. Im Vergleich zu Ta 2O 5, das intensiv evaluiert wird, bietet Al 2O 3 um Größenordnungen geringere Leckströme, wobei die maximal erreichbare spezifischer Kapazität nur etwas geringer ist.

Substrate Modeling for RF and High-Speed Bipolar/BiCMOS Circuits



Substrat-Kopplungseffekte haben - wie oben bereits erwähnt - einen negativen Einfluss auf die Leistungsfähigkeit von schnellen Bipolar/BiCMOS-Schaltungen und können sogar zu Schaltungsfehlern führen. Daher muss dieser Effekt beispielsweise bei leistungsfähigen HF-Schaltungen berücksichtigt und möglichst schon in der Design-Phase korrekt modelliert werden. Der Vortrag gab einen Überblick über die möglichen Wechselwirkungen zwischen dem Substrat und den Schaltungskomponenten. Verschiedene Simulations-Technologien zur Berücksichtigung der Einflüsse wurden diskutiert. Außerdem wurde die Integration der Substrat-Modellierung in moderne Entwicklungsumgebungen an einem praktischen Beispiel erläutert.

Über Infineon



Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für die Automobil- und Industrieelektronik, für Anwendungen in der drahtgebundenen Kommunikation, sichere Mobilfunk-Lösungen sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 30.400 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2002 (Ende September) einen Umsatz von 5,21 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFSMS200310.005