Infineon kündigt Entwicklungsmuster von 1-GByte-Speichermodulen und erste Muster von 2-GByte-DDR-SDRAM-Modulen an - Hochdichte DIMMs auf Basis von 512-Mbit-Speicherchips

25.03.2002 | Fachpresse

München, 25. März 2002 – Infineon Technologies stellt die ersten Entwicklungsmuster von 1-GByte-DIMMs (Dual Inline Memory Modules) in ungepufferter Ausführung vor. Gleichzeitig demonstriert das Unternehmen erste Funktionsmuster von 2-GByte-DIMMs in Register-Ausführung. Die 1-GByte-Speichermodule sind für Hochleistungs-PCs und Workstations ausgelegt, während die 2-GByte-DIMMs auf Hauptspeicher-Anwendungen in Workstation- und Server-Umgebungen zielen. Die neuen Module sind die industrieweit ersten Speichermodule, die auf 512-Mbit-Singlechip-ICs basieren. Für OEMs bedeutet das Vorteile bezüglich Speicherdichte, Ladezeiten, Geschwindigkeit, Qualität und Zuverlässigkeit.

Die 2-GByte-Speichermodule wurden im vergangenen Monat im Rahmen des Intel Developer Forum (ServerWorks GC-LE/Prestonia) erstmals präsentiert und werden jetzt auf der JEDEX Conference in Santa Clara (25. und 26. März) demonstriert. Die Demo-Speichermodule laufen dabei auf der Plumas/Prestonia-Hardware-Plattform von Intel.

Die in diesen Speichermodulen eingesetzten 512-Mbit-Speicherkomponenten sind die erste verfügbare Lösung mit nur einem Silizium-Speicherchip in einem TSOP II-Gehäuse, während herkömmliche Modul-Lösungen mit Speichern aufgebaut sind, die zwei Chips in einem Gehäuse integrieren. Damit wird eine bessere Signalintegrität, geringere Leistungsaufnahme und höhere Zuverlässigkeit erreicht. Das ungepufferte 1-GByte-DIMM ist aus 18 Chips mit je 512 Mbit aufgebaut und zu 64 M x 8 konfiguriert. Das 2-GByte-DIMM in Register-Ausführung nutzt 36 der 512-Mbit-Chips und ist zu 256 M x 4 organisiert. Damit kann auch der Weiterbetrieb bei Ausfall eines Chips („Chip-Kill“) gewährleistet werden, was in neuen Speichersystemen gefordert wird. Beide Speichermodule arbeiten mit einer 2,5 Volt-Versorgung, sind in einem 184poligen Modul untergebracht und in den Geschwindigkeitsklassen PC1600 und PC2100 verfügbar.

Die neuen Module von Infineon stellen die derzeit komplexesten Industriestandard-DIMMs dar. Damit können Systemhersteller die Speicherkapazität auf einem Board im Vergleich zu Modulen mit 256-Mbit-Komponenten verdoppeln und die Speicherverarbeitung für leistungsfähige Workstations und Server entsprechend verbessern.

Verfügbarkeit


Entwicklungsmuster der 1-GByte-Module sind ab sofort zu einem Preis von 1.900 US-Dollar verfügbar. Muster der 2-GByte-Module werden für qualifizierte Kunden ab April zu einem Preis von 3.900 US-Dollar zur Verfügung stehen. Preise für Volumenstückzahlen können auf Anfrage genannt werden.

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 33.800 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2001 (Ende September) einen Umsatz von 5,67 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Informationsnummer

INFMP200203.064e

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  • Infineon Announces Engineering Sample Release of One Gigabyte and Demonstration of Two Gigabyte DDR SDRAM Modules; First High-Density DIMMs Built With Single-Chip 512Mb Memory Components
    Infineon Announces Engineering Sample Release of One Gigabyte and Demonstration of Two Gigabyte DDR SDRAM Modules; First High-Density DIMMs Built With Single-Chip 512Mb Memory Components
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