Infineon und Micron entwickeln zusammen "CellularRAM"

24.06.2002 | Fachpresse

Gemeinsame Presseinformation von Infineon und Micron

München, Boise (Idaho,USA), 24. Juni 2002 – Infineon Technologies und Micron Technology haben die gemeinsame Entwicklung von Spezifikationen der neuen Speicherfamilie CellularRAM vereinbart. Beide Unternehmen werden diese Chips unabhängig voneinander in den Markt einführen. Bei diesen Speicherbausteinen handelt es sich um Pseudo-Static-RAMs (PSRAM) mit sehr geringer Leistungsaufnahme für Mobilfunk-Applikationen.

Der neue Typus eines Pseudo-SRAM-Bausteines ist speziell für die wachsenden Anforderungen an erhöhter Speicherkapazität und Bandbreite in Mobiltelefonen der 2.5G- und 3G-Generation ausgelegt und bietet ein besseres Kosten/Bit-Verhältnis im Vergleich zu existierenden Alternativlösungen. Das CellularRAM ist anschlusskompatibel zu SRAMs, erlaubt den Betrieb ohne Refresh und bietet eine sehr geringe Leistungsaufnahme. Damit eignet sich dieser neue Speichertyp hervorragend zum Aufrüsten bei erhöhtem Speicherbedarf und somit als Ersatz von asynchronen SRAMs, die derzeit in Mobiltelefonen eingesetzt werden.

Das CellularRAM basiert auf einer DRAM-Speicherzelle mit einem Transistor im Gegensatz zu der sonst üblichen SRAM-Zelle mit sechs Transistoren. Damit profitiert das CellularRAM von den Technologie- und Prozess-Vorteilen der DRAM-Speicher. Die Speicherzelle mit DRAM-Architektur benötigt nur etwa ein Zehntel der Fläche einer entsprechenden 6-Transistor-SRAM-Zelle. Die so reduzierte Chipfläche bietet für zukünftige Mobilapplikationen eine deutlich größere Speicherkapazität bei günstigen Kosten.

Die CellularRAM-Familie beinhaltet Komponenten mit SRAM-Interface für den einfachen Ersatz herkömmlicher SRAM-Speicher und zusätzliche innovative Produktmerkmale wie einen Burst-Schreib/Lese-Modus, der ein Flash-Interface nachbildet. Die neuen Speicher arbeiten mit bis zu 108 MHz, haben eine Latenzzeit von 60 ns und bieten eine Bandbreite von 210 MB/s.

Zielsetzung der gemeinsamen Entwicklungsvereinbarung ist, CellularRAM als Multisource-Standard für Speichersubsysteme der kommenden 2.5G(GPRS, EDGE)- und 3G(UMTS)-Mobiltelefone zu etablieren. Beide Unternehmen werden anschluss- und funktionskompatible Produkte auf Basis einer gemeinsamen Spezifikation fertigen, dabei aber eigene Prozess-Technologien nutzen.

Infineon und Micron wollen verschiedene CellularRAM-Bausteine im Laufe der nächsten 12 Monate einführen. Als erster Baustein wird ein 32-Mbit-Speicher in der Organisation 2 M x 16 ab Ende 2002 verfügbar sein. Eine 16-Mbit- und eine 64-Mbit-Version, organisiert zu 1 M x 16 bzw. 4 M x 16, sind für die erste Hälfte 2003 geplant. Die CellularRAMs arbeiten mit einer 1,8-V-Versorgung und unterstützen 2,5-V- und 3,0-V-I/Os.

„CellularRAM-Speicher bieten unseren Kunden die erforderliche Performance, geringe Leistungsaufnahme und hohe Kosteneffizienz für die nächste Generation der Mobiltelefone,“ sagte Mario Fazio, Director Strategic Marketing für Wireless-Produkte bei Micron. „In Kombination mit einem nichtflüchtigen Speicher wie den hochkomplexen Low-Voltage-Burst-Flash von Micron sind die CellularRAMs eine attraktive Lösung für Speicher-Subsysteme mit einem asynchronen Burst-Bus, wie sie üblicherweise in Mobiltelefonen eingesetzt werden. Wir sehen in der strategischen Partnerschaft mit Infineon ein großes Potenzial für die Erweiterung dieser Produktfamilie. Die Kunden werden von den flexiblen Liefer- und Produktionskapazitäten sowie den führenden Technologien von Micron und Infineon profitieren.“

„CellularRAM ist eine ideale Speicherlösung für die nächste Generation der Mobiltelefone, indem sie die erforderliche Kapazität und einen hohen Datendurchsatz bei geringer Leistungsaufnahme ermöglichen. Nach der Martkeinführung des Mobile-RAM und der NROM-basierten NAND-Flash-Technologie ist CellularRAM ein weiterer wichtiger Meilenstein bei der Bereitstellung eines kompletten Speicher-Portfolios für drahtlose Applikationen,“ sagte Dr. Ernst Strasser, Marketingleiter für Graphics- und Speciality-DRAMs von Infineon. „Diese Vereinbarung ist der neueste Schritt in einer Reihe von Kooperationen zwischen Infineon und Micron. Unsere Kooperation bei RLDRAMs ist sehr erfolgreich und wir freuen uns auf die Fortsetzung unserer gemeinsamen Aktivitäten bei der Spezifizierung und Bereitstellung kompatibler CellularRAM-Bausteine für unsere Kunden.“

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 33.800 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2001 (Ende September) einen Umsatz von 5,67 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert.

Weitere Informationen unter www.infineon.com.

Über Micron


Micron Technology, Inc. ist ein amerikanischer Hersteller von DRAMs, sehr schnellen SRAMs, Flash und anderen Halbleiterkomponenten, Speichermodulen and PC Systemen. Micron wird an der New York Stock Exchange (NYSE) unter dem Symbol MU gehandelt. Weitere Informationen unter www.micron.com.

Pressekontakt bei Micron Technology, Inc.:


Echo Chadwick,
Telefon: +1 208 368-4400,
Email: echadwick@micron.com

Informationsnummer

INFMP200206.088e