Infineon liefert neuen Dual-Band-LNA für GSM-Mobiltelefone in Volumen-Stückzahlen

22.05.2001 | Fachpresse

München, 22. Mai 2001 – Infineon Technologies kündigte heute die Verfügbarkeit des Dual-Band LNA ( Low Noise Amplifier) PMB2364 für GSM-Mobiltelefone an. Der Verstärker-Chip wird auf Basis des Silizium-Germanium-Bipolar-Prozesses B7HF von Infineon gefertigt und ist bereits in Volumen-Stückzahlen verfügbar. Er erfüllt die hohen Anforderungen an das Rauschen und die Verstärkung für die Dual-Band-Standards GSM900/1800 und GSM900/1900.

„Der neue Dual-Band-LNA-Chip unterstreicht einmal mehr die technologische Expertise von Infineon bei der Bereitstellung von innovativen Lösungen für hochvolumige Mobilfunk-Applikationen, sagte Ulrich Hamann, Senior Vice President und General Manager des Geschäftsbereichs Drahtlose Kommunikation bei Infineon Technologies. „Der PBM2364 adressiert die spezifischen Anforderungen von hohen Betriebsfrequenzen, geringem Rauschen, reduzierter Leistungsaufnahme sowie hohem Integrationsgrad und stellt so eine ideale Lösung für mobile Kommunikations-Applikationen dar."

Der hochintegrierte LNA bietet besonders geringe Rauschwerte von 1,3 dB bei 0,95 GHz bzw. 1,5 dB bei 1,85 GHz mit einer Verstärkung von 19 dB. Der Chip nutzt dabei die Vorteile der B7HF-Prozesstechnologie, mit Transitfrequenzen von bis zu 75 GHz. Darüber hinaus bietet der PMB2364 angepaßte (matched) Ein-/Ausgänge und arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 2,7 V bis 3,6 V bei sehr geringer Stromaufnahme. Durch das integrierte Matching sind im Vergleich zu anderen Lösungen weniger externe Komponenten erforderlich.

Der neue Dual-Band-LNA kann mit dem hochintegrierten GSM-Transceiver SMARTi von Infineon für eine komplette Front-end-Lösung für Mobilfunk-Lösung kombiniert werden.

Verfügbarkeit


Der PMB2364 ist in einem platzsparenden P-TSSOP-10 in Volumen-Stückzahlen verfügbar.

Über den Prozess


Die B7HF-Technologie wurde speziell für die Anforderungen von mobilen Kommunikationssystemen und schnellen Datenübertragungsstandards entwickelt. Neben diesem bipolaren Prozess bietet Infineon auch hochintegrierte Produkte auf Basis eines SiGe-BiCMOS-Prozesses unter der Bezeichnung B7HFc, der denselben bipolaren Transistor nutzt. Die SiGe-Prozesse ermöglichen innovative Lösungen für analoge, Mixed-Signal- und hochintegrierte HF-Produkte wie z.B. rauscharme Verstärker (LNA), Mischer, PLLs (bis zu 10 GHz), Transceiver und AD-Wandler.

Über Infineon


Infineon Technologies AG, München, bietet Halbleiter- und Systemlösungen für Anwendungen in der drahtgebundenen und mobilen Kommunikation, für Sicherheitssysteme und Chipkarten, für die Automobil- und Industrieelektronik, sowie Speicherbauelemente. Infineon ist weltweit tätig und steuert seine Aktivitäten in den USA aus San Jose, Kalifornien, im asiatisch-pazifischen Raum aus Singapur und in Japan aus Tokio. Mit weltweit rund 29.000 Mitarbeitern erzielte Infineon im Geschäftsjahr 2000 (Ende September) einen Umsatz von 7,28 Milliarden Euro. Das DAX-Unternehmen ist in Frankfurt und New York (NYSE) unter dem Symbol „IFX“ notiert. Weitere Informationen unter
www.infineon.com

Informationsnummer

INFWS200105.081e

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  • Infineon Technologies Introduces Dual-Band Low-Noise Amplifiers For GSM Phones; Now Available In Volume Quantities
    Infineon Technologies Introduces Dual-Band Low-Noise Amplifiers For GSM Phones; Now Available In Volume Quantities
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