IR HiRel bringt neue Generation strahlungsharter MOSFETs für langlebige, missionskritische Weltraum-Anwendungen auf den Markt

21.12.2016 | Market News

München, und El Segundo, USA, 21. Dezember 2016 – IR HiRel, ein Tochterunternehmen der Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY), hat ihre ersten, strahlungsharten MOSFETs auf den Markt gebracht, die auf der firmeneigenen Technologieplattform N-channel R9 basieren. Die R9-Technologie optimiert Größe, Gewicht und Leistung. Dies ist vorteilhaft für alle Weltraumanwendungen wie z.B. Satelliten mit hohem Datendurchsatz (HTS), bei denen die Kosten pro Bit deutlich reduziert werden können. Die 100 V/35 A-MOSFETs eignen sich für missionskritische Anwendungen, die eine Lebensdauer von 15 Jahren und mehr erfordern. Zielanwendungen sind Gleichspannungswandler, Motorsteuerungen und andere Raumfahrtanwendungen, die hohe Schaltgeschwindigkeiten erfordern.

Die von IR HiRel entwickelten Bauteile IRHNJ97130 und IRHNJ9A3130 zeichnen sich aus durch eine Immunität gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 kRads und 300 kRads (TID). Der typische R DS(on) liegt bei 25 mΩund ist rund 33 Prozent niedriger als bei der vorherigen Generation. In Kombination mit einem höheren Drainstrom (35 A gegenüber 22 A) kann der MOSFET daher mit höherer Leistungsdichte und reduzierten Leistungsverlusten schalten.

Die MOSFETs weisen eine verbesserte Immunität auf gegen Einschlag bzw. Durchqueren schwerer Ionen (Single Event Effect, SEE) und sind ausgelegt für einen linearen Energietransfer (Linear Energy Transfer, LET) von 90 MeV/(mg/cm²). Das ist mindestens zehn Prozent höher als bei früheren Generationen. Beide Bauteile verfügen über ein hermetisch dichtes, leichtes und oberflächenmontierbares Keramikgehäuse (SMD-0,5), das nur 10,28 mm x 7,64 mm x 3,12 mm misst. Die MOSFETs sind auch als Chip ohne Gehäuse erhältlich.

Verfügbarkeit

Die Bauteile IRHNJ9A7130 und IRHNJ9A3130 stehen als Muster und im Volumen zur Verfügung. Weitere Informationen zum strahlungsfesten MOSFET sind erhältlich unter www.infineon.com/R9-space-grade-MOSFET.

Informationsnummer

INFIHR201612-022

Pressefotos

  • Die IR HiRel-Bauteile IRHNJ97130 und IRHNJ9A3130 zeichnen sich aus durch eine Immunität gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 kRads und 300 kRads (TID). Der typische RDS(on) liegt bei 25 mΩ und ist rund 33 Prozent niedriger als bei der vorherigen Generation. In Kombination mit einem höheren Drainstrom (35 A gegenüber 22 A) kann der MOSFET daher mit höherer Leistungsdichte und reduzierten Leistungsverlusten schalten.
    Die IR HiRel-Bauteile IRHNJ97130 und IRHNJ9A3130 zeichnen sich aus durch eine Immunität gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 kRads und 300 kRads (TID). Der typische RDS(on) liegt bei 25 mΩ und ist rund 33 Prozent niedriger als bei der vorherigen Generation. In Kombination mit einem höheren Drainstrom (35 A gegenüber 22 A) kann der MOSFET daher mit höherer Leistungsdichte und reduzierten Leistungsverlusten schalten.
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  • Die IR HiRel-Bauteile IRHNJ97130 und IRHNJ9A3130 zeichnen sich aus durch eine Immunität gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 kRads und 300 kRads (TID). Der typische RDS(on) liegt bei 25 mΩ und ist rund 33 Prozent niedriger als bei der vorherigen Generation. In Kombination mit einem höheren Drainstrom (35 A gegenüber 22 A) kann der MOSFET daher mit höherer Leistungsdichte und reduzierten Leistungsverlusten schalten.
    Die IR HiRel-Bauteile IRHNJ97130 und IRHNJ9A3130 zeichnen sich aus durch eine Immunität gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 kRads und 300 kRads (TID). Der typische RDS(on) liegt bei 25 mΩ und ist rund 33 Prozent niedriger als bei der vorherigen Generation. In Kombination mit einem höheren Drainstrom (35 A gegenüber 22 A) kann der MOSFET daher mit höherer Leistungsdichte und reduzierten Leistungsverlusten schalten.
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