Finanz- und Technologieglossar

0-9

Oberbegriff für die Herstellung und Prozessierung von Wafern mit einem Durchmesser von 300 Millimetern.

A

Alternating Current/Direct Current-Wandlung. Wechselspannung-Gleichspannung-Wandlung. Dies ist ein Oberbegriff für Netzteile. Dort wird die Netzwechselspannung in eine Gleichspannung gewandelt, die oftmals noch auf einem niedrigeren Spannungsniveau feingeregelt werden muss (vgl. „DC-DC-Wandlung“).

„Mixed-Signal“ ist ein Oberbegriff für integrierte Schaltkreise, die gleichzeitig mit analogen und digitalen Signalen arbeiten. Sie werden aufgrund der ähnlichen Anforderungen an die Entwicklungs- und Fertigungsprozesse meist mit denjenigen integrierten Schaltkreisen zusammengefasst, die ausschließlich mit analogen Signalen arbeiten. Dadurch entsteht die Kombination „Analog-Mixed-Signal“.

Application Specific Integrated Circuit. Logikschaltung, die auf speziellen Kundenwunsch für eine spezifische Nutzung konstruiert wurde.

Authentifizierung ist der Nachweis der eigenen Identität, also der Nachweis, dass es sich um das Original handelt, wobei sich eine Authentifizierung nicht nur auf Menschen, sondern auch auf beliebige materielle oder immaterielle Gegenstände wie zum Beispiel ein Gerät oder ein elektronisches Dokument beziehen kann. Die Authentifizierung kann ein Benutzer auf drei verschiedenen Wegen erreichen: Erstens durch Nachweis der Kenntnis einer Information: Er weiß etwas, zum Beispiel ein Passwort; Zweitens durch Verwendung eines Besitztums: Er hat etwas, zum Beispiel einen Schlüssel; Drittens durch die Gegenwart des Benutzers selbst: Er ist etwas, zum Beispiel in Form eines biometrischen Merkmals.

B

Teil des Halbleiterherstellungsprozesses, der ausgeführt wird, nachdem der Wafer den Reinraum verlassen hat (vgl. „Frontend-Fertigung“). Zu diesem Vorgang gehören die Überprüfung der Chips auf dem Wafer, etwaige notwendige Reparaturen der Chips, Sägen der Wafer und Verpackung der einzelnen Chips. Immer mehr Halbleiterhersteller lagern den Montagevorgang an unabhängige Montageunternehmen aus, einige sogar das Testen. Ein Großteil der Montageunternehmen befindet sich in Ländern des pazifischen Raums.

Ein einzelner, ungehäuster Chip. Unter „Bare Die“-Geschäft versteht man den Verkauf von vollständig prozessierten, aber ungehäusten Chips. Das Häusen und anschließende Testen der gehäusten Chips erfolgt beim Kunden. In den meisten Fällen findet dieses Geschäft mit IGBT-Modul-Herstellern statt, die zwar eine Modulfertigung, aber selbst keine Halbleiterfertigung besitzen.

Ein Leistungsbipolartransistor ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen (bis zu mehreren Hundert Ampere) und sehr hohen Spannungen (bis zu mehreren Tausend Volt) optimiert ist. In der Industrie stellt der Leistungsbipolartransistor – ebenso wie der häufig alternativ verwendete Leistungs-MOSFET (vgl. „MOSFET“) – eine wichtige industrielle Halbleiterkomponente zur Beeinflussung des elektrischen Stroms dar.

Bluetooth Tokens können in unterschiedlichen Ausprägungen implementiert werden, z.B. als USB-Stick, Schlüsselanhänger oder auch als herkömmliche ID-Karte. Über Bluetooth können die Tokens mit mobilen Geräten verschiedenen Hersteller verbunden und somit als zweiter Faktor zur Identifizierung gegenüber dem Online-Dienst eingesetzt werden.

C

Complementary Metal Oxide Semiconductor. Halbleiter-Standardfertigungstechnologie, um Mikrochips mit geringem Energieverbrauch und hohem Integrationsgrad zu produzieren.

D

Eine hohe Eingangsgleichspannung (Direct Current; DC) wird auf eine (in den meisten Fällen) niedrigere, hochpräzise Ausgangsgleichspannung gewandelt. Die DC-DC-Wandlung sitzt meist auf dem Motherboard, ganz nahe am elektrischen Verbraucher. Dieser Verbraucher kann zum Beispiel der Mikroprozessor eines PCs oder Servers sein oder der Grafikcontroller einer Grafikkarte oder der Netzwerkprozessor einer Telekommunikationseinrichtung.

Ein Wafer ist normalerweise rund 350 Mikrometer (μm) dick, wenn er in die einzelnen Chips gesägt wird. Von Dünnwafer spricht man, wenn der Wafer auf unter 200 Mikrometer dünngeschliffen wird. Zum Vergleich: Ein Haar oder ein Blatt Papier liegt bei rund 60 Mikrometern. Die Dünnwafer-Technologie bietet Vorteile: Mit dünneren Chips kann man sowohl die Verluste reduzieren als auch die entstehende Wärme besser abführen. Daneben lassen sich auch elektrisch aktive Strukturen auf der Rückseite herstellen, die ganz neue Funktionen des Chips ermöglichen. Zudem haben Dünnwafer-Chips in kompakteren Gehäusen Platz.

E

Die Daten des Nutzers werden auf einem Sicherheitschip hinterlegt, der fest in das Mobilgerät integriert ist.

Von griechisch epi = „auf“ oder „über“ und taxis = „ordnen“ oder „ausrichten“. Epitaxie ist eine Form des Kristallwachstums. Sie tritt in der Natur (zum Beispiel bei Mineralien) und in der Technik auf. In der Halbleitertechnik wird mit Epitaxie das Aufwachsen von kristallinen Schichten auf einem Substrat (in der Regel der Wafer) verstanden. Mittels Epitaxie lassen sich verschiedene Dotierprofile für Transistoren herstellen, wie sie mit anderen Verfahren, zum Beispiel Diffusion oder Ionenimplantation, nicht möglich sind.

F

Flexible AC Transmission System; flexibles Drehstromübertragungsnetz. Steuerungssysteme in der elektrischen Energietechnik. Sie werden in der Stromversorgung zur gezielten Beeinflussung von Leistungsflüssen in Drehstromnetzen eingesetzt, wobei als wesentliche Eigenschaft Komponenten der Leistungselektronik und damit Leistungshalbleiter, zum Beispiel IGBTModule, zur Anwendung kommen. Die Steuerung der Leistungsflüsse kann in Wechselspannungsnetzen durch Veränderung der Blind- und Wirkleistung mittels Kondensatorbatterien oder Kompensationsspulen durchgeführt werden.

Verarbeitung von Wafern, die im Reinraum durchgeführt wird. Zu den wesentlichen Verarbeitungsschritten zählen Belichtung, Ionenimplantation und das Aufbringen von Metallisierungsschichten. Nachdem die Verarbeitung der Wafer im Reinraum beendet ist – insgesamt bis zu 500 Arbeitsschritte –, werden sie an die Backend-Fertigung weitergeleitet; dort werden sie getestet und gehäust (vgl. „Backend-Fertigung“).

G

Verbindungshalbleiter aus Gallium (chemisches Zeichen: Ga) und Stickstoff (chemisches Zeichen: N). Abkürzung ist GaN. GaN wird aufgrund seiner besonderen Materialeigenschaften (zum Beispiel gute Wärmeleitfähigkeit und hohe Elektronenmobilität) unter anderem für Hochfrequenz-MOSFETs verwendet (vgl. „MOSFET“).

H

Ein auf dem Hall-Prinzip basierender Sensor zur Messung von Magnetfeldern. Benannt nach dem US-amerikanischen Physiker Edwin Herbert Hall (1855 – 1938). Hall-Sensoren werden zum Beispiel zur Positionserkennung von Pedalstellungen oder zur Messung der Rotationsgeschwindigkeit von Achsen eingesetzt.

Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung. HGÜ ist ein Verfahren der elektrischen Energieübertragung mit hoher Gleichspannung von bis zu 800 Kilovolt über Entfernungen von über 1.000 Kilometern. HGÜ wird auch zur Anbindung von Offshore-Windparks ans Stromnetz des Festlands eingesetzt.

I

Integrated Circuit (integrierte Schaltung). Bauelement auf Basis eines Halbleitermaterials wie beispielsweise Silizium, auf dem zahlreiche Komponenten wie Transistoren, Widerstände, Kondensatoren und Dioden integriert und miteinander verbunden sind.

Insulated-Gate-Bipolar-Transistor-Modul (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode). Ein IGBT ist ein Halbleiterbauelement, das aufgrund seiner Robustheit, hohen Sperrspannung und nahezu leistungslosen Ansteuerung Anwendung in der Leistungselektronik findet. Mehrere IGBTs, zusammengeschaltet und in einem Gehäuse verpackt, nennt man Modul. Diese Module werden für die Ansteuerung von Elektromotoren im Automobilbereich wie auch im Industriebereich eingesetzt. Drehzahl und Drehmoment des Elektromotors können stufenlos reguliert werden. Auch Züge wie der deutsche ICE oder der französische TGV nutzen für die effiziente Ansteuerung der Elektroantriebe IGBT-Module.

Integrity Guard (IG) ist eine revolutionäre Sicherheitstechnologie für Chipkarten- und Sicherheitsanwendungen. Damit leitet Infineon ein neues Zeitalter im Bereich der hardwarebasierten Sicherheit ein. IG wurde speziell für anspruchsvolle und langlebige Anwendungen (unter anderem Bezahlkarten und hoheitliche Dokumente) entwickelt. Durch IG bietet ein Sicherheitscontroller zum ersten Mal vollständige Fehlererkennung sowie umfassende Verschlüsselung aller Chipfunktionen über den gesamten Datenpfad im Chip. Man spricht daher auch von „digitaler Sicherheit“. IG wird in den Sicherheitscontrollern der Familien SLE 77 und 78 verwendet. IG wurde mit mehreren internationalen Preisen ausgezeichnet.

Die ISO/IEC 27001 ist die international führende Norm für Informationssicherheits-Managementsysteme (ISMS). Sie gilt für privatwirtschaftliche und öffentliche Unternehmen sowie gemeinnützige Organisationen und definiert, wie ein ISMS eingeführt, umgesetzt, überwacht und verbessert werden muss. Die ISO/IEC 27001 bietet einen systematischen, strukturierten und risikobasierten Ansatz um vertrauliche Daten zu schützen, die Integrität der betrieblichen Daten sicherzustellen und die Verfügbarkeit der IT-Systeme im Unternehmen zu erhöhen.

L

Mit Leistungstransistor wird in der Elektronik ein Transistor zum Schalten oder Steuern großer Spannungen, Ströme beziehungsweise Leistungen bezeichnet. Eine exakte Grenze zwischen Transistoren zur Signalverarbeitung und Leistungstransistoren ist nicht einheitlich festgelegt. Leistungstransistoren werden überwiegend in Gehäusen produziert, die eine Montage auf Kühlkörpern ermöglichen, da es anders nicht möglich ist, die bei manchen Typen und Anwendungen bis zu einigen Kilowatt betragende Verlustleistung abzuführen.

M

Mikro-Elektromechanisches System. Ein Mikro-Elektromechanisches System – oder einfach Mikrosystem – ist ein miniaturisiertes Gerät, eine Baugruppe oder ein Bauteil, dessen Komponenten kleinste Abmessungen (im Mikrometerbereich) haben und als System zusammenwirken. Üblicherweise besteht ein Mikrosystem aus einem oder mehreren Sensoren, Aktuatoren und einer Steuerungselektronik auf einem Chip. Infineon fertigt Mikrofone als MEMS. Wegen der geringen Abmessungen, der geringen Leistungsaufnahme, der guten Abschirmung von Störsignalen und der kostengünstigen Produktion werden diese Mikrofone zunehmend in mobilen Endgeräten eingebaut, wie beispielsweise Smartphones, Tablets und Kameras, oder in Accessoires wie Headsets oder Hörgeräten.

Aufgrund ihres integrierten Sicherheitschips ist eine Mikro-SD-Karte ideal für Plug&Play-Sicherheitsanwendungen. Reine Mikro-SD-Speicherkarten können leicht gegen intelligente Mikro-SD-Karten mit ID-Funktion ausgetauscht werden.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Der MOSFET ist die heute am meisten verwendete Transistorarchitektur. Der MOSFET wird sowohl in hochintegrierten Schaltkreisen als auch in der Leistungselektronik als spezieller Leistungs-MOSFET verwendet.

N

Near Field Communication. Ein internationaler Übertragungsstandard zum kontaktlosen Austausch von Daten über kurze Strecken. Die ersten Entwürfe des Übertragungsstandards gehen schon einige Jahre zurück, aber erst 2011 mit der Einführung dieser Technologie in den ersten Smartphones kam der Durchbruch. Die Nahfunktechnik NFC kann als Zugriffsschlüssel an Terminals auf Inhalte und für Dienste verwendet werden, wie beispielsweise bargeldlose Zahlungen oder papierloses Ticketing.

Hier wird das NFC-fähige Mobilgerät zum Lesegerät für die elektronische eID-Karte – vorausgesetzt sie funktioniert kontaktlos. Das mobile Gerät erfasst die Benutzer-Zugangsdaten, wie z.B. PIN oder biometrische Merkmale und vergleicht diese mit den gespeicherten Zugangsdaten auf dem eID Dokument.

S

Ein Schaltnetzteil ist eine elektronische Baugruppe, die eine Wechselspannung in eine Gleichspannung umwandelt. Schaltnetzteile besitzen einen höheren Wirkungsgrad als Netztransformatoren und können kompakter und leichter aufgebaut werden als konventionelle Netzteile, die einen schweren Trafo mit Eisenkern enthalten. Schaltnetzteile werden vor allem in PCs, Notebooks und Servern eingesetzt. Sie erreichen aber auch bei kleinen Leistungen bereits einen sehr hohen Wirkungsgrad, sodass sie zunehmend auch in Steckernetzteilen, etwa als Ladegerät für Mobiltelefone, zu finden sind.

Eine spezielle Diode, die keinen Halbleiter-Halbleiter-Übergang, sondern einen Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Als Halbleitermaterial verwendet man bis 250 Volt meist Silizium. Für Spannungen über 300 Volt kommt Siliziumkarbid (SiC) zum Einsatz (vgl. „Siliziumkarbid“). SiC-Schottky-Dioden bieten in der Leistungselektronik gegenüber den konventionellen Dioden eine Reihe von Vorteilen. Beim Einsatz zusammen mit IGBT-Transistoren ist eine erhebliche Reduktion der Schaltverluste in der Diode selbst, aber auch im Transistor möglich. Der Name geht auf den deutschen Physiker Walter Schottky (1886 – 1976) zurück.

Verbindungshalbleiter aus Silizium (chemisches Zeichen: Si) und Kohlenstoff (chemisches Zeichen: C). Chemisches Zeichen SiC. SiC wird aufgrund seiner besonderen Materialeigenschaften (zum Beispiel gute Wärmeleitfähigkeit) unter anderem für Schottky-Dioden verwendet (vgl. „Schottky-Diode“).

Die Daten des Nutzers werden in einer sicheren SIM-Karte für das Mobiltelefon hinterlegt. Estland gibt beispielsweise zusätzlich zu den herkömmlichen elektronischen Personalausweisen auch eID-basierte SIM-Karten aus. Dabei nutzt die SIM-Karte dieselben PKI-Schlüssel (Public Key Infrastructure) wie die eID im Kartenformat

T

Trusted Platform Module. Ein Chip, der einen Computer oder ähnliche Geräte um grundlegende Sicherheitsfunktionen wie Lizenz- oder Datenschutz erweitert. Außer der Verwendung in PCs und Notebooks kann das TPM in Tablets, Smartphones und Unterhaltungselektronik integriert werden. Ein Gerät mit TPM, speziell angepasstem Betriebssystem und entsprechender Software bildet zusammen eine Trusted Computing Platform (vgl. „Trusted Computing“).

„Trusted Computing“ bedeutet, dass die im PC, aber auch in anderen computergestützten Systemen wie Mobiltelefonen verwendete Hard- und Software kontrolliert werden kann. Dies geschieht über einen zusätzlichen Chip, Trusted Platform Module (TPM), der mittels kryptografischer Verfahren die Integrität sowohl der Hardware als auch der Software-Datenstrukturen messen kann und diese Werte nachprüfbar abspeichert.

U

Steuereinheit, die Wechselspannungen verschiedener Spannungen und Frequenzen ineinander überführen kann. Dies geschieht durch Leistungselektronik. Umrichter werden unter anderem in Windrädern eingesetzt, um die fluktuierende Windenergie ins Stromnetz mit einer Spannung mit konstanter Frequenz einzuspeisen. In der elektrischen Antriebstechnik, also etwa bei Motorsteuerungen und Zügen, wird mittels eines Umrichters aus einem Netz mit konstanter Frequenz und Spannung eine Ausgangsspannung mit variabler, lastabhängiger Frequenz erzeugt.

V

Im Gegensatz zu siliziumbasierten Halbleitern bestehen Verbindungshalbleiter aus mehreren chemischen Elementen. Die Kombination von Materialien aus den chemischen Hauptgruppen III (zum Beispiel Gallium) und V (zum Beispiel Stickstoff) besitzt die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern; ebenso die Kombi nation von Materialien aus der IV. Hauptgruppe (Kohlenstoff, Silizium). Diese Verbindungshalbleiter (zum Beispiel Galliumnitrid oder Siliziumkarbid) sind daher von großer Bedeutung für tech nische Anwendungen in der Halbleiter technik insbesondere bei Leistungshalbleitern.

W

Ein Wechselrichter (auch Inverter genannt) ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung beziehungsweise Gleichstrom in Wechselstrom umwandelt. Wechselrichter werden zum Beispiel bei Solaranlagen eingesetzt, um die in den Solarmodulen erzeugte Gleichspannung in eine Wechselspannung zu wandeln und sie ins Netz einzuspeisen.

TECHNOLOGIEGLOSSAR

0-9

Oberbegriff für die Herstellung und Prozessierung von Wafern mit einem Durchmesser von 300 Millimetern

Fertigungstechnologie, mit der Strukturen auf dem Chip mit einer Breite von 40 beziehungsweise 65 beziehungsweise 90 Nanometern dargestellt werden können. Je feiner die Strukturen – also etwa Leiterbahnen und Zwischenräume – sind, desto kleiner und damit billiger kann der Chip hergestellt werden. Chronologisch gesehen folgt die 40-Nanometer-Technologie auf die 65-Nanometer-Technologie, die wiederum nach der 90-Nanometer-Technologie eingeführt wurde.

A

Antiblockiersystem. Elektronisches Sicherheitssystem für das Kraftfahrzeug, das bei starkem Bremsen das Blockieren der Räder verhindert.

Alternating Current/Direct Current-Wandlung. Wechselspannung-Gleichspannung-Wandlung. Dies ist ein Oberbegriff für Netzteile. Dort wird die Netz-Wechselspannung in eine Gleichspannung gewandelt, die oftmals noch auf einem niedrigeren Spannungsniveau feingeregelt werden muss (vgl. "DC/DC-Spannungsregelung").

„Mixed-Signal“ ist ein Oberbegriff für integrierte Schaltkreise, die gleichzeitig mit analogen und digitalen Signalen arbeiten. Sie werden aufgrund der ähnlichen Anforderungen an die Entwicklungs- und Fertigungsprozesse meist mit jenen integrierten Schaltkreisen zusammengefasst, die ausschließlich mit analogen Signalen arbeiten. Dadurch entsteht die Kombination „ Analog-/Mixed-Signal“

Application Specific Integrated Circuit. Logikschaltung, die auf speziellen Kundenwunsch für eine spezifischec Nutzung konstruiert wurde.

Application Specific Standard Product. Standardprodukt, das für eine spezifische Nutzung konstruiert wurde und von vielen Kunden genutzt werden kann

 Markenname von Infineon für die 32-Bit-Mehrkern-Automotive-Mikrocontroller-Familie.

B

Teil des Halbleiterherstellungsprozesses, der ausgeführt wird, nachdem der Wafer den Reinraum verlassen hat (vgl. „Frontend-Fertigung“). Zu diesem Vorgang gehören die Überprüfung der Chips auf dem Wafer, etwaige notwendige Reparaturen der Chips, Sägen der Wafer und Verpackung der einzelnen Chips. Immer mehr Halbleiterhersteller lagern den Montagevorgang an unabhängige Montageunternehmen aus, einige sogar das Testen. Ein Großteil der Montageunternehmen befindet sich in Ländern des pazifischen Raumes.

Der Begriff Bandabstand, auch Bandlücke genannt, geht auf das quantenmechanische Bändermodell zurück. Damit wird der energetische Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband eines Festkörpers bezeichnet. Die Einheit ist Elektronenvolt (eV). Leiter haben keine Bandlücke, Nichtleiter haben eine Bandlücke von größer 4 eV. Halbleiter haben eine Bandlücke im Bereich 0,1 eV bis etwa 4 eV (Si: 1,12 eV; SiC: 2,36 bis 3,03 eV; GaN: 3,37 eV).

Ein einzelner, ungehäuster Chip. Unter "Bare Die"-Geschäft versteht man den Verkauf von vollständig prozessierten, aber ungehäusten Chips. Das Häusen und anschließende Testen der gehäusten Chips erfolgt beim Kunden. In den meisten Fällen findet dieses Geschäft mit IGBT-Modul-Herstellern statt, die zwar eine Modul-Fertigung, aber selbst keine Halbleiter-Fertigung besitzen.

Spezieller Prozess zur Herstellung von Hochspannungs-ICs mit geringer Leistung. Die Abkürzung BCD steht dabei für "Bipolar CMOS with DMOS".

Ein Leistungsbipolartransistor ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen (bis zu mehreren Hundert Ampere) und sehr hohen Spannungen (bis zu mehreren Tausend Volt) optimiert ist. In der Industrie stellt der Leistungsbipolartransistor – ebenso wie der häufig alternativ verwendete Leistungs-MOSFET (vgl. „ MOSFET“) – eine wichtige industrielle Halbleiterkomponente zur Beeinflussung des elektrischen Stromes dar.

Informationseinheit, die einen von zwei Werten annimmt, zum Beispiel „richtig“/„falsch“ oder „0“/„1“.

Maß für Informationseinheit bei Datenverarbeitungsanlagen. Ein Byte entspricht acht Bit (vgl. "Bit").

C

Kunststoffkarte mit eingebautem Speicherchip oder Mikrocontroller; kann mit Geheimzahl kombiniert werden.

Der Begriff umschreibt den Ansatz, Rechenkapazität, Datenspeicher, Netzwerkkapazitäten oder auch fertige Software dynamisch an den Bedarf angepasst über ein Netzwerk zur Verfügung zu stellen. Aus Nutzersicht scheint die zur Verfügung gestellte abstrahierte IT-Infrastruktur fern und undurchsichtig, wie in einer „Wolke“ verhüllt, zu geschehen. Der Zugriff auf die entfernten Systeme erfolgt über ein Netzwerk, meist das des Internets, mittels eines Endgeräts, zum Beispiel eines Netbooks oder eines Tablet-PCs (vgl. "Netbook", vgl. "Tablet-PC").

Complementary Metal Oxide Substrate. Halbleiter-Standardfertigungstechnologie, um Mikrochips mit geringem Energieverbrauch und hohem Integrationsgrad zu produzieren.

Die Common Criteria for Information Technology Security Evaluation (kurz auch Common Criteria; deutsch etwa Allgemeine Kriterien für die Bewertung der Sicherheit von Informationstechnologie) sind ein internationaler Standard über die Kriterien der Bewertung und Zertifizierung der Sicherheit von Computersystemen im Hinblick auf Datensicherheit. Die Common Criteria definieren sieben Stufen der Vertrauenswürdigkeit (Evaluation Assurance Level, EAL1 bis EAL7 (höchste Stufe)), die die Korrektheit der Implementierung des betrachteten Systems beziehungsweise die Prüftiefe beschreiben.

Hochvolt-Leistungstransistor für Spannungen von 300 bis 1.200 Volt.

D

Direct Current/Direct Current-Spannungsregelung. Eine hohe Eingangs-Gleichspannung wird auf eine (in den meistenFällen) niedrigere, hoch präzise Ausgangs-Gleichspannung geregelt. Die DC/DC-Spannungsregelung sitzt meist auf dem Motherboard, ganz nahe am elektrischen Verbraucher. Dieser Verbraucher kann zum Beispiel der Mikroprozessor eines PCs oder Servers sein oder der Grafikcontroller einer Grafikkarte oder der Netzwerkprozessor einer Telekommunikationseinrichtung.

Ein Wafer (vgl. "Wafer") ist normalerweise rund 350 Mikrometer (µm; vgl. "Mikrometer") dick, wenn er in die einzelnen Chips gesägt wird. Von Dünnwafer spricht man, wenn der Wafer auf unter 200 Mikrometer dünngeschliffen wird. Zum Vergleich: Ein Haar oder ein Blatt Papier liegt bei rund 60 Mikrometern. Die Dünnwafer-Technologie bietet Vorteile: Mit dünneren Chips kann man sowohl die Verluste reduzieren als auch die entstehende Wärme besser abführen. Daneben lassen sich auch elektrisch aktive Strukturen auf der Rückseite herstellen, die ganz neue Funktionen des Chips ermöglichen. Zudem haben Dünnwafer-Chips in kompakteren Gehäusen Platz.

Die Durchbruchspannung bezeichnet bei Halbleiterbauelementen die Spannung, bei deren Überschreiten der Strom stark ansteigt und letztendlich zu einer Zerstörung des Bauelements führen kann. Die Durchbruchspannung kann durch die Dotierung der Halbleiterschichten bestimmt werden.

Bezeichnung für den Einschaltwiderstand oder auch einen minimalen Durchgangswiderstand eines Feldeffekt- Transistors. Die korrekte Schreibweise lautet RDS(on), wobei das R für den elektrischen Widerstand steht. Der Index DS steht für die Anschlussleitungen des Feldeffekttransistors, die als Drain (D) und Source (S) bezeichnet werden. Das „on“ (englisch für „ an“) steht für den eingeschalteten Zustand des Feldeffekttransistors im Schaltbetrieb.

E

Ein nichtflüchtiger Speicher, der zusammen mit einem Mikrocontroller-Rechenkern auf einem Chip integriert wird. Der nichtflüchtige Speicher enthält den Programmcode.

Von griechisch epi = "auf" oder "über" und taxis = "ordnen" oder "ausrichten". Epitaxie ist eine Form des Kristallwachstums. Sie tritt in der Natur (zum Beispiel bei Mineralien) und in der Technik auf. In der Halbleitertechnik wird mit Epitaxie das Aufwachsen von kristallinen Schichten auf einem Substrat (in der Regel der Wafer) verstanden. Mittels Epitaxie lassen sich verschiedene Dotierprofile für Transistoren herstellen, wie sie mit anderen Verfahren, zum Beispiel Diffusion oder Ionenimplantation, nicht möglich sind.

Electric Power Steering. Elektrisch unterstützte Servolenkung, die im Gegensatz zur hydraulisch unterstützten Servolenkung, über einen elektrischen Motor verfügt. Der Vorteil liegt darin, dass die Lenkunterstützung bedarfsgerecht ausgelegt werden kann. Das heißt, sie wird nur tätig, wenn sie während Lenkvorgängen auch nötig ist, was zu einer Kraftstoffersparnis gegenüber hydraulischen Lenksystemen führt.

Electrostatic Discharge; elektrostatische Entladung. ESD ist ein durch große Potentialdifferenz in einem elektrisch isolierenden Material entstehender Funke oder Durchschlag, der einen sehr kurzen hohen elektrischen Stromimpuls verursacht und dabei elektronische Geräte, etwa ein Mobiltelefon, zerstören kann. Ursache der Potenzialdifferenz ist meist eine Aufladung durch Reibungselektrizität. Sie tritt zum Beispiel beim Laufen über einen Teppich auf, wobei ein Mensch auf rund 30.000 Volt aufgeladen werden kann.

Elektronisches Stabilitätsprogramm. Eine Technik in Kraftfahrzeugen, die mittels Sensoren und Computer durch gezieltes Abbremsen einzelner Räder dem Schleudern gegensteuert.

European New Car Assessment Programme - Europäisches Neuwagen-Bewertungsprogramm. Es führt Crashtests durch und versorgt Automobilkäufer mit einer realitätsnahen und unabhängigen Beurteilung der Sicherheitsmerkmale einiger der beliebtesten in Europa verkauften Fahrzeuge. Euro NCAP wurde 1997 gegründet und wird mittlerweile von sieben europäischen Regierungen sowie Automobil- und Verbraucherorganisationen aus allen EU-Ländern unterstützt.

Dezimal-Präfix für die Verwendung im Internationalen Einheitensystem. Exa steht für 1018 = 1 Trillion, abgekürzt "E", zum Beispiel Exabyte (EByte).

F

Flexible AC Transmission System; flexibles Drehstromübertragungsnetz. Steuerungssysteme in der elektrischen Energietechnik. Sie werden in der Stromversorgung zur gezielten Beeinflussung von Leistungsflüssen in Drehstromnetzen eingesetzt, wobei als wesentliche Eigenschaft Komponenten der Leistungselektronik und damit Leistungshalbleiter, zum Beispiel IGBT-Module, zur Anwendung kommen. Die Steuerung der Leistungsflüsse kann in Wechselspannungsnetzen durch Veränderung der Blind- und Wirkleistung mittels Kondensatorbatterien oder Kompensationsspulen durchgeführt werden.

Software, die in elektronische Geräte eingebettet ist. Sie ist zumeist in einem Speicher eines Controller gespeichert und durch den Anwender in der Regel nicht austauschbar. Der Begriff leitet sich davon ab, dass Firmware funktional fest mit der Hardware verbunden ist, was bedeutet, dass das eine ohne das andere nicht nutzbar ist. Sie nimmt eine Zwischenstellung zwischen Hardware und der Anwendungssoftware ein.

Verarbeitung von Wafern, die im Reinraum durchgeführt wird. Zu den wesentlichen Verarbeitungsschritten zählen Belichtung, Ionenimplantation und das Aufbringen von Metallisierungsschichten. Nachdem die Verarbeitung der Wafer im Reinraum beendet ist – insgesamt bis zu 500 Arbeitsschritte –, werden sie an die Backend-Fertigung weitergeleitet; dort werden sie getestet und gehäust (vgl. "Backend-Fertigung").

G

Verbindungshalbleiter aus Gallium (chemisches Zeichen: Ga) und Stickstoff (chemisches Zeichen: N). Abkürzung ist GaN. GaN wird aufgrund seiner besonderen Materialeigenschaften (zum Beispiel gute Wärmeleitfähigkeit und hohe Elektronenmobilität) unter anderem für Hochfrequenz-MOSFETs verwendet (vgl. "MOSFET").

Dezimal-Präfix für die Verwendung im Internationalen Einheitensystem. Giga steht für 109 = 1 Milliarde, abgekürzt "G", zum Beispiel Gigabyte (GByte).

Giant Magneto-Resistance. Der GMR-Effekt wird in Sensoren zur Messung von Magnetfeldern eingesetzt. GMR-Sensoren werden unter anderem als Lenkwinkelsensor im Auto eingesetzt.

Global Positioning System. Satellitengestütztes Funkortungsverfahren zur Positionsbestimmung aufgrund von Laufzeitunterschieden der empfangenen Signale.

H

Kristalliner Werkstoff, dessen elektrische Leitfähigkeit durch Einbringung von Dotierstoffen (in der Regel Bor oder Phosphor) gezielt verändert werden kann. Halbleiter sind beispielsweise Silizium und Germanium. Der Begriff wird auch für ICs aus diesem Werkstoff verwendet.

Ein auf dem Hall-Prinzip basierender Sensor zur Messung von Magnetfeldern. Benannt nach dem US-amerikanischen Physiker Edwin Herbert Hall (1855 – 1938). Hall-Sensoren werden zum Beispiel zur Positionserkennung von Pedalstellungen oder zur Messung der Rotationsgeschwindigkeit von Achsen eingesetzt.

Hertz (Kurzzeichen: Hz) ist die Einheit für die Frequenz. Die Einheit wurde nach dem deutschen Physiker Heinrich Rudolf Hertz (1857 – 1894) benannt. Die Frequenz ist die Anzahl der Schwingungen pro Sekunde, allgemeiner auch die Anzahl von beliebigen sich wiederholenden Vorgängen pro Sekunde. Häufig verwendete Einheiten sind Kilohertz (tausend Schwingungen pro Sekunde), Megahertz (eine Million Schwingungen pro Sekunde) und Gigahertz (eine Milliarde Schwingungen pro Sekunde).

Hybridauto (Hybrid Electric Vehicle)/Elektroauto (Electric Vehicle). Zusammenfassung der Fahrzeuge mit Teil- oder Vollantrieb durch einen Elektromotor (vgl. "Hybridauto").

Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung. HGÜ ist ein Verfahren der elektrischen Energieübertragung mit hoher Gleichspannung von bis zu 800.000 Volt über Entfernungen von über 1.000 Kilometern. HGÜ wird auch zur Anbindung von Offshore-Windparks ans Stromnetz des Festlandes eingesetzt.

Unter einem Hybridauto versteht man üblicherweise ein Kraftfahrzeug, das neben einem Verbrennungsmotor noch von mindestens einem Elektromotor angetrieben wird. Der Hybridantrieb wird im Serienautomobilbau eingesetzt, um die Effizienz zu verbessern, den fossilen Kraftstoffverbrauch zu verringern oder die Leistung im niedrigen Drehzahlbereich zu steigern. In Voll-Hybridautos kann das Fahrzeug allein mittels des Elektromotors angetrieben werden. In milden Hybridautos (oder auch Mild-Hybridautos genannt) dient der Elektromotor nur zur Unterstützung des Verbrennungsmotors, also etwa beim Beschleunigen.

Das griechische Wort "Hybrid" bedeutet übersetzt "gemischt" oder auch "von zweierlei Herkunft". Der Name bezeichnet den Kern der neuen Antriebstechnologie im Fahrzeugbau: Hybridfahrzeuge sind mit zwei Antriebsarten ausgestattet: Ein Diesel- oder Benzinmotor wird mit einem elektrischen Antrieb kombiniert

I

Integrated Circuit (integrierte Schaltung). Bauelement auf Basis eines Halbleitermaterials wie beispielsweise Silizium, auf dem zahlreiche Komponenten wie Transistoren, Widerstände, Kondensatoren und Dioden integriert und miteinander verbunden sind.

 Insulated-Gate-Bipolar-Transistor-Modul (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode). Ein IGBT ist ein Halbleiterbauelement, das aufgrund seiner Robustheit, hohen Sperrspannung und nahezu leistungslosen Ansteuerung Anwendung in der Leistungselektronik findet. Mehrere IGBTs, zusammengeschaltet und in einem Gehäuse verpackt, nennt man Modul. Diese Module werden für die Ansteuerung von Elektromotoren im Automobilbereich wie auch im Industriebereich eingesetzt. Drehzahl und Drehmoment des Elektromotors können stufenlos reguliert werden. Auch Züge wie der deutsche ICE oder der französische TGV nutzen für die effiziente Ansteuerung der Elektroantriebe IGBT-Module.

Integrity Guard (IG) ist eine revolutionäre Sicherheitstechnologie für Chipkarten- und Sicherheitsanwendungen. Damit leitet Infineon ein neues Zeitalter im Bereich der hardwarebasierte Sicherheit ein. IG wurde speziell für anspruchsvolle und langlebige Anwendungen (unter anderem Bezahlkarten und hoheitliche Dokumente) entwickelt. Durch IG bietet ein Sicherheitscontroller zum ersten Mal vollständige Fehlererkennung sowie umfassende Verschlüsselung aller Chipfunktionen über den gesamten Datenpfad im Chip. Man spricht daher auch von "digitaler Sicherheit". IG wird in den Sicherheitscontrollern der Familien SLE 77 und 78 verwendet. IG wurde mit mehreren internationalen Preisen ausgezeichnet.

Ein Inverter, auch Wechselrichter genannt, ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung beziehungsweise Gleichstrom in Wechselstrom umwandelt. Inverter werden zum Beispiel bei Solaranlagen eingesetzt, um die in den Solarmodulen erzeugte Gleichspannung in eine Wechselspannung zu wandeln und sie ins Netz einzuspeisen.

Die ISO 26262 ist eine ISO-Norm für sicherheitsrelevante elektrische/elektronische Systeme in Kraftfahrzeugen. Die ISO 26262 definiert ein Vorgehensmodell zusammen mit geforderten Aktivitäten sowie anzuwendenden Methoden in Entwicklung und Produktion. Die Umsetzung der Norm soll die funktionale Sicherheit eines Systems mit elektrischen/elektronischen Komponenten im Kraftfahrzeug gewährleisten. Zu den Anwendern dieses Standards gehören Automobilhersteller, Automobilzulieferer und Prüfinstitute.

K

Dezimal-Präfix für die Verwendung im Internationalen Einheitensystem. Kilo steht für 10= 1.000 = Tausend, abgekürzt "k". Im informationstechnischen Sinn steht Kilo für 210 = 1.024, abgekürzt "K", zum Beispiel Kilobyte (KByte).

L

Laterally Difused MOS transistor. Mit den steigenden Anforderungen an die elektrischen Eigenschaften von Feldeffekt-Transistoren (MOSFETs), wurde in den vergangen Jahrzehnten Varianten des planaren MOSFET entwickelt. Sie unterscheiden sich häufig in der Gestaltung des Dotierprofils oder der Materialwahl. So ist zum Beispiel zwischen lateralen (also parallel zu der Oberfläche ausgerichteten) und vertikalen Bauformen zu unterscheiden. Während laterale Transistoren (LDMOS) vorwiegend in hochfrequenten Anwendungen der Nachrichtentechnik zum Einsatz kommen, findet sich die vertikale Bauform überwiegend in der Leistungselektronik wieder.

In den letzten 30 Jahren haben Leistungshalbleiter in der Antriebstechnik ebenso wie in der Energieübertragung und -verteilung weitgehend die elektromechanischen Lösungen verdrängt, weil mit ihnen hohe Energieflüsse fast nach Belieben geformt werden können. Der Vorteil der Bauelemente besteht darin, dass sie extrem schnell – typischerweise innerhalb von Bruchteilen von Sekunden – zwischen den Zuständen "offen" oder "geschlossen" wechseln können. Durch die schnelle Folge von Ein-/Aus-Pulsen kann fast jede beliebige Form des Energieflusses nachgebildet werden, beispielsweise auch eine Sinuswelle.

 Mit Leistungstransistor wird in der Elektronik ein Transistor zum Schalten oder Steuern großer Spannungen, Ströme beziehungsweise Leistungen bezeichnet. Eine exakte Grenze zwischen Transistoren zur Signalverarbeitung und Leistungstransistoren ist nicht einheitlich festgelegt. Leistungstransistoren werden überwiegend in Gehäusen produziert, die eine Montage auf Kühlkörpern ermöglichen, da es anders nicht möglich ist, die bei manchen Typen und Anwendungen bis zu einigen Kilowatt betragende Verlustleistung abzuführen (vgl. "Leistungshalbleiter").

M

Dezimal-Präfix für die Verwendung im Internationalen Einheitensystem. Mega steht für 106 = 1.000.000 = 1 Million, abgekürzt "M". Im informationstechnischen Sinn steht Mega für 220 = 1.048.576, zum Beispiel Megabyte (MByte).

Mikro-elektromechanisches System. Ein mikro-elektromechanisches System -- oder einfach Mikrosystem -- ist ein miniaturisiertes Gerät, eine Baugruppe oder ein Bauteil, dessen Komponenten kleinste Abmessungen (im Mikrometerbereich) haben und als System zusammenwirken. Üblicherweise besteht ein Mikrosystem aus einem oder mehreren Sensoren, Aktoren und einer Steuerungselektronik auf einem Chip. Infineon fertigt Mikrofone als MEMS. Wegen der geringen Abmessungen, der geringen Leistungsaufnahme, der guten Abschirmung von Störsignalen und der kostengünstigen Produktion werden diese Mikrofone zunehmend in mobilen Endgeräten, wie beispielsweise Smartphones, Tablets und Kameras eingebaut, oder in Accessoires wie Headsets und Hörgeräte.

Mikroprozessor, der auf einem einzelnen IC, mit Speicher und Schnittstellen kombiniert, integriert ist und als eingebettetes System funktioniert. In einem Mikrocontroller lassen sich komplexe logische Schaltungen realisieren und per Software kontrollieren.

Metrisches Längenmaß. Entspricht dem millionsten Teil eines Meters (10-6 Meter), das Symbol ist μm. Der Durchmesser eines Menschenhaars beträgt zum Beispiel 0,1 Millimeter oder 100 Mikrometer.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Der MOSFET ist die heute am meisten verwendete Transistorarchitektur. Der MOSFET wird sowohl in hochintegrierten Schaltkreisen als auch in der Leistungselektronik als spezieller Leistungs-MOSFET verwendet.

N

Metrisches Längenmaß. Entspricht dem milliardsten Teil eines Meters (10 -9), das Symbol ist nm. Der Durchmesser der Desoxyribonukleinsäure (DNS) beträgt ungefähr 2 Nanometer. Die Fertigungsstrukturbreiten in der Halbleiterbranche werden inzwischen in Nanometern gemessen (vgl. "65-Nanometer-Technologie").

Near Field Communication. Ein internationaler Übertragungsstandard zum kontaktlosen Austausch von Daten über kurze Strecken. Die ersten Entwürfe des Übertragungsstandards gehen schon einige Jahre zurück, aber erst 2011 mit der Einführung dieser Technologie in den ersten Smartphones kam der Durchbruch. Die Nahfunktechnik NFC kann als Zugriffsschlüssel an Terminals auf Inhalte und für Dienste verwendet werden, wie beispielsweise bargeldlose Zahlungen oder papierloses Ticketing.

O

Niedervolt-Leistungstransistoren für Spannungen von 20 bis 300 Volt.

P

Dezimal-Präfix für die Verwendung im Internationalen Einheitensystem. Peta steht für 1015 = 1 Billiarde, abgekürzt "P", zum Beispiel Petabyte (PByte).

Ein Plug-in-Hybrid ist ein Kraftfahrzeug mit Hybridantrieb, dessen Batterie zusätzlich über das Stromnetz extern geladen werden kann. Meist hat er eine größere Batterie als ein reines Hybridfahrzeug und stellt so eine Mischform zwischen letzterem und einem Elektroauto da

R

In der Praxis bedeutet "Repowering", dass alte Windenergieanlagen durch neue, leistungsstärkere und effizientere ersetzt werden. Ziel ist eine bessere Ausnutzung der verfügbaren Standorte, die Erhöhung der installierten Leistung bei gleichzeitiger Reduktion der Anzahl der Anlagen.

S

Ein Schaltnetzteil ist eine elektronische Baugruppe, die eine Wechselspannung in eine Gleichspannung umwandelt. Schaltnetzteile besitzen einen höheren Wirkungsgrad als Netztransformatoren und können kompakter und leichter aufgebaut werden als konventionelle Netzteile, die einen schweren Trafo mit Eisenkern enthalten. Schaltnetzteile werden vor allem in PCs, Notebooks und Servern eingesetzt. Sie erreichen aber auch bei kleinen Leistungen bereits einen sehr hohen Wirkungsgrad, sodass sie zunehmend auch in Steckernetzteilen, etwa als Ladegerät für Mobiltelefone, zu finden sind.

Eine spezielle Diode, die keinen Halbleiter-Halbleiter-Übergang, sondern einen Metall-Halbleiter-Übergang besitzt. Als Halbleitermaterial verwendet man bis 250 Volt meist Silizium. Für Spannungen über 300 Volt kommt Siliziumkarbid (SiC) zum Einsatz. SiC-Schottky-Dioden bieten in der Leistungselektronik gegenüber den konventionellen Dioden eine Reihe von Vorteilen. Beim Einsatz zusammen mit IGBT-Transistoren ist eine erhebliche Reduktion der Schaltverluste in der Diode selbst, aber auch im Transistor möglich. Der Name geht auf den deutschen Physiker Walter Schottky (1886 – 1976) zurück (vgl. "Siliziumkarbid").

Unter "Shrinken" (vom Englischen to shrink = schrumpfen) versteht man in der Halbleiterfertigung den Übergang zur Fertigungstechnologie mit der nächstkleineren Strukturgröße. Durch den Einsatz einer kleineren Strukturgröße werden – mit wenigen Ausnahmen – alle Halbleiterschaltungselemente verkleinert, eben geschrumpft. Dadurch wird der Chip mit derselben Funktionalität kleiner; es passen mehr Chips auf den Wafer; die Herstellkosten sinken

Chemisches Element mit halbleitenden Eigenschaften. Chemisches Zeichen: Si. Silizium ist das wichtigste Ausgangsmaterial in der Halbleiterindustrie.

Verbindungshalbleiter aus Silizium (chemisches Zeichen: Si) und Kohlenstoff (chemisches Zeichen: C). Chemisches Zeichen SiC. SiC wird aufgrund seiner besonderen Materialeigenschaften (zum Beispiel gute Wärmeleitfähigkeit) unter anderem für Schottky-Dioden verwendet (vgl. "Schottky-Diode").

Subscriber-Identity-Module-Karte. Eine Chipkarte, die in ein Mobiltelefon gesteckt wird und zur Identifikation des Nutzers im Netz dient. Mit ihr stellen Mobilfunk-Anbieter Teilnehmern mobile Telefonanschlüsse zur Verfügung.

Ein internetfähiges Mobiltelefon, das mehr Computerfunktionalität und -konnektivität als ein herkömmliches fortschrittliches Mobiltelefon zur Verfügung stellt. Aktuelle Smartphones lassen sich meist über zusätzliche Programme (sogenannte Apps) vom Anwender individuell mit neuen Funktionen aufrüsten.

Neben der allgemeinen Verbesserung der Robustheit von Leistungshalbleiterbauelementen gegen hohe Strom- und Spannungsspitzen und der Verringerung des Durchlasswiderstands werden zunehmend weitere Funktionen in das Bauteil integriert. Diese Bauteile werden dann häufig als Smart Power Devices bezeichnet und enthalten neben Schutzschaltungen (zum Beispiel Schutz gegen thermische Überlastung, Strombegrenzung) auch komplexere Funktionen wie etwa einfache Mikrocontroller oder Analog-Digital-Wandler. Die spezielle Fertigungstechnologie für solche Smart Power Devices bezeichnet man als Smart Power Technologie, zum Beispiel SPT9 von Infineon.

T

Ein tragbarer Computer, der unter anderem wie ein Notizblock verwendet werden kann. Die Bedienung erfolgt per Eingabestift, in zunehmendem Maße auch per Finger direkt auf einem berührungsempfindlichen Bildschirm. In der jüngsten Entwicklung dienen Tablets vorwiegend dem Internet-Zugang und damit als Endgerät für Cloud Computing (vgl. "Cloud Computing").

Dezimal-Präfix für die Verwendung im Internationalen Einheitensystem. Tera steht für 1012 = 1 Billion, abgekürzt "T", zum Beispiel Terabyte (TByte).

Trusted Platform Module. Ein Chip, der einen Computer oder ähnliche Geräte um grundlegende Sicherheitsfunktionen wie Lizenz- oder Datenschutz erweitert. Außer der Verwendung in PCs und Notebooks kann das TPM in Tablet-PCs, Smartphones und Unterhaltungselektronik integriert werden. Ein Gerät mit TPM, speziell angepasstem Betriebssystem und entsprechender Software bildet zusammen eine Trusted Computing Plattform (vgl. "Trusted Computing").

Elektronisches Bauelement zum Schalten und Verstärken von elektrischen Signalen. Transistoren werden beispielsweise in der Nachrichtentechnik, Computersystemen und in der Leistungselektronik eingesetzt; als diskrete Einzelkomponente oder millionenfach auf einem integrierten Schaltkreis.

"Trusted Computing" bedeutet, dass die im PC, aber auch in anderen computergestützten Systemen wie Mobiltelefonen verwendete Hard- und Software kontrolliert werden kann. Dies geschieht über einen zusätzlichen Chip, Trusted Platform Module (TPM), der mittels kryptografischer Verfahren die Integrität sowohl der Hardware als auch der Software-Datenstrukturen messen kann und diese Werte nachprüfbar abspeichert.

U

Steuereinheit, die Wechselspannungen verschiedener Spannungen und Frequenzen ineinander überführen kann. Dies geschieht durch Leistungselektronik. Umrichter werden unter anderem in Windrädern eingesetzt, um die fluktuierende Windenergie ins Stromnetz mit einer Spannung mit konstanter Frequenz einzuspeisen. In der elektrischen Antriebstechnik, also etwa bei Motorsteuerungen und Zügen, wird mittels eines Umrichters aus einem Netz mit konstanter Frequenz und Spannung eine Ausgangsspannung mit variabler, lastabhängiger Frequenz erzeugt.

V

Variable Speed Drive. Elektronische Steuerung zur Drehzahlregelung von Elektromotoren.

W

Scheibe aus einem Halbleiterwerkstoff, aus der man den eigentlichen Chip herstellt. Gängige Durchmesser für Wafer sind 200 Millimeter und 300 Millimeter.

Ein Wechselrichter (auch Inverter genannt; vgl. "Inverter") ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung beziehungsweise Gleichstrom in Wechselstrom umrichtet.