AUIRLR3105
综述
专为汽车应用而设计,HEXFET® 功率 MOSFET 的 Stripe Planar 设计采用最新的处理技术,实现了每硅片面积的低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了极其高效和可靠的器件,可用于汽车和各种其他应用。
优势
- 先进平面工艺
- 逻辑电-平栅极驱动
- 动态的dv/dt额定值
- 低导通电阻
- 175°C 的工作温度
- 快速开关
- 完全雪崩额定值
- 允许重复雪崩达到 Tjmax
- 无铅,符合 RoHS
- 通过汽车认证
培训
支持