OptiMOS™ 5 and IR MOSFET™ 60V/80V/100V Logic Level
综述
用于低 Vgs的新型逻辑电平 MOSFET
英飞凌 PQFN3.3x3.3 中的逻辑电平 OptiMOS ™5 功率 MOSFET 和 QFN2x2 中的IR MOSFET ™ 可在三种不同电压等级(60V,80V 和 100V)中使用,非常适合于无线充电、适配器和电信应用。
该设备的低栅极电荷 (Qg)在不影响传导损耗的同时降低了开关损耗。改进的品质因数允许在高开关频率下进行操作。此外,逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压(VGS(th)),允许 MOSFET 在 5V 时驱动并直接由微型控制器驱动。
尽管栅极电荷较低,但与下一个优质选择相比,该产品实现了较低的 RDS (on)。
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