OptiMOS™ 5 and IR MOSFET™ 60V/80V/100V Logic Level

综述

用于低 Vgs的新型逻辑电平 MOSFET

英飞凌 PQFN3.3x3.3 中的逻辑电平 OptiMOS ™5 功率 MOSFET 和 QFN2x2 中的IR MOSFET ™ 可在三种不同电压等级（60V，80V 和 100V）中使用，非常适合于无线充电、适配器和电信应用。

该设备的低栅极电荷 (Qg)在不影响传导损耗的同时降低了开关损耗。改进的品质因数允许在高开关频率下进行操作。此外，逻辑电平驱动器提供低栅极阈值电压（VGS（th）），允许 MOSFET 在 5V 时驱动并直接由微型控制器驱动。

尽管栅极电荷较低，但与下一个优质选择相比，该产品实现了较低的 RDS (on)。

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亮点
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关键特性

  • 小封装下的低 RDS (ON)
  • 降低栅极电荷
  • 降低输出电荷
  • 逻辑电平兼容性
  • 微小的 PQFN 2x2 封装

核心优势

  • 更高的功率密度设计
  • 更高的开关频率
  • 只要有 5V 电源，就可以减少零件数量
  • 直接由微型控制器驱动（慢速切换）
  • 系统成本降低
  • 用于空间关键应用的PQFN 2x2 形状因子非常小

应用

将 OPTMOS ™5 与 60V、80V 和100V 下的RDS (ON)进行比较

将 IR MOSFET 与 60V、80V 和100V 下的 RDS（on）进行比较）

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