IKW30N60H3
综述
600 V IGBT,采用反并联二极管,TO-247 封装
高速 600 V, 30 A 硬开关第三代 TRENCHSTOP™ IGBT,采用 TO-247 封装并集成了续流二极管,在开关和导通损耗之间实现了较为出色的平衡。此产品系列的主要特征是类似 MOSFET 的关断开关行为,实现了低关断损耗。
特征描述
- 高效率,低开关损耗
- 得益于英飞凌知名的 TRENCHSTOP™ 技术,实现了出色的VCE(sat)。
- 快速开关行为,同时低电磁干扰辐射
- 针对目标应用的优化二极管,意味着进一步改善开关损耗
- 在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电阻选择(低至 5Ω)
- 短路能力为 5µs
- 提供最高 175°C的 Tj(max)
- 可带或可不带续流二极管的封装,增加了设计自由度
优势
- 低开关和导通损耗
- 非常好的电磁干扰行为
- 可以与小型栅极电阻一起使用,以减少延迟时间和电压过冲。
- 高电流密度
- 出色的 600 V IGBT 效率和电磁干扰行为
潜在应用
图表
视频
支持