600V/1200V HighSpeed 3 H3 IGBTs

1200V和600V HighSpeed IGBT系列针对硬开关和软开关拓扑进行了优化。该产品系列树立了开关损耗的新标杆，建议用于开关频率超过20kHz的拓扑。极短的拖尾电流和较低的关断损耗（比最接近的竞品低25%）是该全新系列的主要特点，您的设计如果采用该产品系列，可将效率最多提升15%。该产品系列不仅具有非常低的开关损耗，而且导通损耗也非常低。这要归功于众所周知的TRENCHSTOP™技术，该技术具有本质上非常低的饱和压降（Vce(sat)）。同时，Duo Pack封装中的续流二极管经过优化，可实现快速恢复，同时保持高软度。这可以带来出色的高速开关性能、坚固耐用性和抗电磁干扰性能。选用HighSpeed 3 IGBT，您将拥有市场上最好的器件。

英飞凌HighSpeed3 IGBT针对高频应用场合进行了优化，树立了开关损耗和效率方面的性能标杆。