600V/1200V HighSpeed 3 H3 IGBTs
综述
分立式 IGBT 在各种拓扑结构中打破开关速度极限
1200V和600V HighSpeed IGBT系列针对硬开关和软开关拓扑进行了优化。该产品系列树立了开关损耗的新标杆,建议用于开关频率超过20kHz的拓扑。极短的拖尾电流和较低的关断损耗(比最接近的竞品低25%)是该全新系列的主要特点,您的设计如果采用该产品系列,可将效率最多提升15%。该产品系列不仅具有非常低的开关损耗,而且导通损耗也非常低。这要归功于众所周知的TRENCHSTOP™技术,该技术具有本质上非常低的饱和压降(Vce(sat))。同时,Duo Pack封装中的续流二极管经过优化,可实现快速恢复,同时保持高软度。这可以带来出色的高速开关性能、坚固耐用性和抗电磁干扰性能。选用HighSpeed 3 IGBT,您将拥有市场上最好的器件。
英飞凌HighSpeed3 IGBT针对高频应用场合进行了优化,树立了开关损耗和效率方面的性能标杆。
产品
亮点

特性 | 优势 | 应用 |
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