600V/1200V 高速 IGBT

综述

分立式 IGBT 在各种拓扑结构中打破开关速度极限

英飞凌的高速 IGBT 优化了开关和通态损耗之间的高效平衡，能够提高开关频率（20kHz-->70kHz）、减少被动器件，从而降低BOM成本、缩小系统尺寸。

产品

亮点

1200 V分立式IGBT - TRENCHSTOP™IGBT6

HighSpeed3 IGBT技术是成熟的IGBT技术，几年前就在市场上推出了。为了满足客户对高效率和低功率损耗的要求，英飞凌开发了新一代1200V 分立式 IGBT-TrenchStop ™ IGBT6。1200 V TRENCHSTOP™ IGBT 6 使用方便，即插即用，可以替换前代1200 V HighSpeed3 IGBT系列。用S6 TRENCHSTOP™IGBT6 系列直接替换1200 V HighSpeed3 IGBT系列，可实现0.15%的效率提升，而无需更改电路板设计。

The 1200 V IGBT generation TRENCHSTOP™ IGBT 6 is released in 2 product families – low conduction losses optimized S6 series and improved switching losses H6 series.

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特性	优势	应用
专门设计，用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式 MOSFET 高效率，低开关损耗借助英飞凌卓越的 TRENCHSTOP™技术，实现了出色的 V_{ce （sat）} 快速开关行为，低电磁干扰辐射针对目标应用优化的二极管，意味着进一步改善开关损耗在保持出色的开关特性的同时可以实现低门极电阻选择（低至 5Ω）具备短路能力最高结温T_jmax可达 175°C 封装中可带或可不带续流二极管，增加了设计自由度	出色的性价比低开关和通态损耗非常低的EMI特性使用较小的栅极电阻来减少延迟时间和电压过冲更小的芯片尺寸->更小的封装一流的 IGBT 效率和EMI特性	焊接逆变器太阳能逆变器不间断电源（UPS）所有硬开关应用和软开关应用

特性

优势

应用