2ED1323S12P 具有有源米勒钳位（AMC）和短路钳位（SCC）功能的1200 V高压侧/低压侧栅极驱动器IC
综述
2ED1323S12P即EiceDRIVER™ 1200 V高压侧/低压侧栅极驱动器IC，具有2.3 A拉电流和2.3 A灌电流，采用DSO-20（300mils）封装，具有足够的爬电距离和电气间隙，适用于1200 V SiC MOSFET和IGBT功率器件。2ED1323S12P封装在足够爬电距离/电气间隙的DSO-20中，具有有源米勒钳位（AMC）和短路钳位（SCC）功能，实现出色的开关性能。该IC采用SOI技术，针对瞬态电压，具有出色的坚固性。由于该器件没有寄生晶闸管结构，该设计在整个工作温度和电压范围内都非常可靠，可防止寄生闩锁效应。
特征描述
- 独特的英飞凌薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
- 浮地通道实现自举工作
- 最大自举电压（VB节点）：+1225 V
- 工作电压（VS节点）：+ 1200 V
- 在700 ns重复脉冲下，对负VS瞬态电压具有100V的抵抗能力
- 峰值输出拉电流/灌电流：2.3 A / 4.6 A
- 集成超快速的过流保护（OCP）功能
- 高达±5%的参考阈值精度：
- 从检测到过电流到关断输出：不到1 us
- 集成有源米勒钳位（AMC）功能，具有2 A灌电流
- 集成短路钳位（SCC）功能
- 超快、低电阻集成自举二极管
- 具有使能、故障和可编程故障清除RFE输入接口
- 在VS引脚上，逻辑工作范围可达–8V
- 每个通道都有独立的欠压锁定（UVLO）
- VCC电源电压：25 V（最大值）
- 独立的逻辑地（VSS）和输出接地（COM）
- 电气间隙/爬电距离：大于5mm
- 2 kV HBM ESD能力
优势
- 1200 V大电流 (2.3 A/4.6 A) ，小尺寸封装中集成了自举二极管，从而降低了BOM成本并缩小了PCB空间，降低了成本，简化了设计。
- 经过优化的栅极驱动器解决方案，带来了设计灵活性，适用于基于1200 V IGBT/SiC的PIM、分立式开关。
- 能够抵御100 V负VS瞬态电压，提高了器件的可靠性/稳定性。
- 降低50%的电平转换损耗，可实现更低的工作温度和更高的可靠性。
- 有源米勒钳位功能为整个功率器件的稳定开关性能提供了支持，特别是对于低阈值器件：碳化硅（SiC）等等。
- 短路钳位功能可防止短路情况下栅极电压升高。
- 防止闩锁效应，提高了可靠性。
- 集成了快速准确的过流保护功能，与分立式运算放大器解决方案相比，节省了空间和成本，并保护了开关。
- 欠压锁定功能可在低电源电压下提供保护。
- DSO-20封装爬电距离和电气间隙更宽
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支持
