IMYH200R012M1H CoolSiC™ 2000 V SiC トレンチMOSFET TO-247PLUS-4-HCC パッケージ

概要

TO-247PLUS-4-HCC パッケージ搭載の  2000 V / 12 mΩ CoolSiC™ MOSFET は、高電圧および高スイッチング周波数の条件下であっても、システムの信頼性を損なうことなく電力密度を向上できるよう設計されています。CoolSiC™ テクノロジーの低電力損失は、耐圧2000 V 用に最適化されたパッケージの.XT テクノロジーによって高い信頼性を実現し、ストリングインバーター、EV 充電などのアプリケーションで最高の効率を可能にします。

特長

  • VDSS = 2000 V DC 1500 V までの高DC リンクシステム向け
  • 非常に少ないスイッチングロス
  • 14 mm の沿面距離と5.4 mm の空間距離のある革新的なHCC パッケージ
  • 業界標準となるゲート閾値電圧、VGS (th) = 4.5 V
  • 転流用本格使用に備えた堅牢なボディダイオード 
  • .XT 接続テクノロジーによりクラス最高の熱性
  • H3-HVTRB 試験で証明された湿度に対する堅牢性の向上

利点

  • 高い電力密度
  • 優れた信頼性
  • 最高の効率
  • 設計の容易さ
product picture for CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247-4-PLUS-HCC package
図
ビデオ
The .XT interconnection technology in CoolSiC™ discretes

If you want to be an expert of CoolSiC™ discretes and the .XT technology, watch this video!

This training helps you understand how to optimize devices’ behavior in their applications with Infineon’s SPICE Compact Models for CoolSiC™ MOSFETs.

In this video, you will focus on the comparison of the power handling capacity of IGBTs and SiC MOSFETs. Go through the different aspects that need to be considered when dimensioning an IGBT or a MOSFET for a certain application.

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