英飞凌扩展其逆导软开关IGBT产品组合,新增650V RC-H5器件

新器件可降低高达30%的开关损耗,使系统更加节能高效

2014-5-15 | 技术媒体

英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而 新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

 

新推出的分立式RC-H5 650V电源半导体与所有的RC-H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的IGBT工作频率提高到40KHz。总而言之, 这款全新设计的分立式电源半导体节能性能更出色,可使系统整体减少5%的能源消耗。

 

基于RC-H5 650V的系统不仅节能性能出色,而且由于阻断电压增大,使系统设计更具优势,从而大幅提升系统可靠性。650V逆导系列器件品质非凡,既有适合快速开关应用的器件,又 有符合软开关设计的器件,不仅在使用上更具灵活性,还能减少系统整体受到的限制。这款新器件具有更好的EMI特性,所需滤波电路更少,对各类的开关设计都有极大的好处。它还可优化热性能,在175°C的最高结温( 芯片正常工作的环境温度)下进行无故障操作。

 

英飞凌科技股份有限公司IGBT分立器件营销总监Roland Stele指出:“在所有家用电器中,电磁炉最具有极大潜力,可为人们节省更多能源消耗,为保护地球环境做出贡献。凭 借新推出的分立式RC-H5 650V器件,英飞凌将为家用电器提供更丰富的产品,促使我们的客户研发出更可靠更节能的系统。”

 

产品组合及可用性


RC-H5器件现有20A、40A、50A三种电流级别可供选择。将于2014年6月提供样品,届时产品将开始量产。RC-H5系列产品与EiceDRIVER™ 1EDL、2 EDL驱动芯片结合使用,与XMC 1000/4000系列微控制器结合使用可达到最佳效果。更多有关英飞凌RC-H5电源半导体的信息,请访问 http://www.infineon.com/rch5

 

英飞凌出席 2014 年纽伦堡国际电力电子展PCIM


2014年纽伦堡国际电力电子展PCIM将于2014年5月20日至22日在纽伦堡举行。届时英飞凌将在9号展厅311号展位展示RC-H5 650 V器件以及RC-H5系列的其它器件。如 欲了解有关此次交易展的更多重要信息,请访问 http://www.infineon.com/PCIM2014

Information Number

INFIPC201405.037

Press Photos

  • The new discrete RC-H5 650V power semiconductor is the perfect choice for use in multi-hob induction stoves and inverterized microwave ovens, as well as for all partial hard-switching half-bridge topologies.
    The new discrete RC-H5 650V power semiconductor is the perfect choice for use in multi-hob induction stoves and inverterized microwave ovens, as well as for all partial hard-switching half-bridge topologies.
    TO247_650V-RC-H5

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