Wide Bandgap Semiconductors (SiC/GaN)
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)
迈向节能世界的下一个关键步骤是使用新材料，比如宽带隙半导体，这些材料可以实现更高的功率效率、更小的尺寸、更轻的重量、更低的总体成本——或者同时实现上述所有优点。英飞凌是目前唯一一家提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)和氮化镓(GaN)器件的公司，这一独特地位使其成为所有领域客户的首选。
CoolSiC™ - 依赖高压段的变革
与硅相比，碳化硅(SiC)具有3电子伏特(eV)的宽带隙和更高的导热率。基于SiC的MOSFET最适用于高击穿、高功率的高频应用。与硅相比，诸如RDS(on)等器件参数随温度的变化较小。这使设计人员能够在设计中实现更小的极限，从而实现更高的性能。基于成熟的高质量批量生产，英飞凌CoolSiC™解决方案将革命性技术与标准可靠性相结合，为客户目前和未来的成功提供支持。
EiceDRIVER™ —— 非常适合 CoolSiC™ MOSFET 的栅极驱动器 IC
EiceDRIVER™ SiC MOSFET 栅极驱动器 IC 十分适合驱动 SiC MOSFET，尤其是超快速开关 CoolSiC™ SiC MOSFET。这些栅极驱动器具备在 SiC 驱动中最重要的关键特性和参数，例如，紧密的传播延迟匹配、精确的输入滤波器、较宽的输出侧电源范围、负栅极电压能力、有源米勒箝、去饱和 (DESAT) 保护 以及扩展的 CMTI 能力。>了解更多
CoolGaN™ - 将氮化镓(GaN)技术提升到新的水平
GaN比SiC具有更高的带隙（3.4电子伏特）和更高的电子迁移率。与硅(Si)相比，其击穿场强度高出十倍，电子迁移率提高一倍。输出电荷和栅极电荷都比硅(Si)低十倍，反向恢复电荷几乎为零，这对于高频操作至关重要。GaN是现代谐振拓扑中的首选技术，可实现并支持新方法，包括新拓扑和电流调制。英飞凌的GaN解决方案基于市场上最稳健和性能最好的概念——增强型(e-mode)概念，可提供快速的开关速度。CoolGaN™ 氮化镓产品专注于高性能和稳健性，为许多应用（如服务器、电信、无线充电、适配器和充电器及音频）中的各种系统增加了重要价值。CoolGaN™开关简单易用，易于采用英飞凌专用的GaN EiceDRIVER™栅极驱动器IC进行设计。
