BGA5M1BN6
综述
BGA5M1BN6 是一款前端低噪声放大器,适用于 1805 MHz 至 2200 Mhz 频率范围内的 LTE 应用。在应用配置中,LNA 在 9.5mA 的电流消耗下提供 19.3 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。在旁路模式下,LNA 提供4.7 dB的插入损耗。
BGA5M1BN6 基于英飞凌科技 ‘B9HF 硅锗技术。它采用 1.5 V 至 3.6 V 电源供电。该器件具有单线双态控制(旁路和高增益模式)。可以通过关闭VCC来启用关闭状态。
特征描述
- 插入功率增益:19.3 dB
- 旁路模式下的插入损耗:4.7 dB
- 低噪声系数:0.65 dB
- 低电流消耗:9.5mA
- 运行频率:1805 - 2200 MHz
- 多态控制:旁路和高增益模式
- 电源电压:1.5 V 到 3.6 V
- 超小型TSNP-6-2和TSNP-6-10无铅封装(封装尺寸: 0.7 x 1.1 mm2)
- B9HF 锗硅技术
- 射频输出内部与 50Ω 匹配
- 外部元件数量少
- 2kV HBM ESD 保护(包括 AI -引脚)
- 无铅,符合 (RoHS )封装
潜在应用
- LTE
支持