新品！OptiMOS™ 7 40 V技术

英飞凌推出最新功率 MOSFET 技术 OptiMOS™ 7 40 V，采用创新的无引线稳健型功率封装。

OptiMOS™ 7 40 V 以业界最低的导通电阻提供极高的功率密度和能效。 同时，它还降低了开关损耗，提高了 SOA 鲁棒性和雪崩电流能力，从而促进未来汽车应用的高效系统设计。  英飞凌再次为未来的汽车应用设定了标准：

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主要特性

  • RDS(on) 非常低
  • 高雪崩能力
  • 高 SOA 鲁棒性
  • 快速开关时间（打开/关闭）
  • 带铜夹的无引线封装
  • 领先的薄晶片铜技术
  • 领先的 300 毫米自有产线生产

主要优势

  • 高功率密度和效率
  • 增强的电流能力
  • 提高的设计鲁棒性
  • 卓越的开关性能
  • 小封装& 高效冷却
  • 车规级产品
  • 高质量的车规级产品

主要应用

  • 电动助力转向
  • 功率切断开关
  • 区域控制装置& 电子保险丝盒
  • 直流 - 直流
  • USB 充电& 制动
  • 适用于汽车应用
  • 多样的无刷直流驱动装置

OptiMOS™ 7 40 V 可逐步用于以下创新型& 鲁棒的汽车封装：

OptiMOS™ 7 40 V 产品将推动未来的汽车系统实现最高的功率密度和系统效率、最小的外形尺寸和显著的空间节省、更好的散热、更低的系统成本和高质量而又易于设计的产品& 应用。 点击了解更多信息

相关产品

产品名称 状态 电压 (V) RDS(on) (max) [mΩ]  ID  @25°C (max) [A] 
IAUCN04S7N004 active and preferred 40 0.44 175
IAUCN04S7N005 active and preferred 40 0.55 175
IAUCN04S7L004 active and preferred 40 0.42 175
IAUCN04S7L005 active and preferred 40 0.51 175
IAUCN04S7L006 active and preferred 40 0.57 175
IAUCN04S7N006 active and preferred 40 0.61 175
IAUCN04S7L009 active and preferred 40 0.88 175
IAUCN04S7N009 active and preferred 40 0.94 175
IAUCN04S7L011 active and preferred 40 1.10 120
IAUCN04S7N012 active and preferred 40 1.17 120
IAUCN04S7L014 active and preferred 40 1.42 120
IAUCN04S7N015 active and preferred 40 1.52 120
IAUCN04S7L019 active and preferred 40 1.91 120
IAUCN04S7N020 active and preferred 40 2.03 120
IAUCN04S7L028 active and preferred 40 2.80 100
IAUCN04S7N030 active and preferred 40 3.06 100

关键应用