IRFH7185
综述
100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 PQFN 5x6 封装
优势
- 低 RDS(ON) (低于5.2 mOhms)
- 对 PCB 的热阻低(低于 0.8°C/W)
- 100% 经过接地电阻测试
- 纤薄外形(小于1.05毫米)
- 符合行业标准的引脚
- 与现有表面封装技术兼容
- 符合 RoHS , 无卤素
- MSL1
- FastIRFET™
潜在应用
- 热插拔
- 隔离式初级侧 MOSFET
- 隔离式次级侧SyncRec MOSFET
质量
支持