IHW30N110R5 带集成二极管和采用TO-247封装的1100 V, 30 A 逆导型 IGBT

综述

带集成二极管和采用TO-247封装的R5 1100 V, 30 A 逆导型 IGBT，专为满足采用单端谐振拓扑感应加热应用的苛刻需求而设计。由于拥有最佳产品性能，且与已有的栅极驱动器解决方案高度兼容，1100 V 30 A IGBT成为软开关拓扑的最优选择。

特征描述

  • 专为软换流而设计的、具有低正向电压的高性能集成二极管
  • 非常窄的参数分布
  • 高坚固性和温度稳定性
  • 超低VCEsat
  • VCEsat中的正温度系数，使其具有易于并联
  • 低电磁干扰
  • Vg = 25 V
  • 175°C的最高工作结温（TJ）
  • 无铅镀层；RoHS合规

优势

  • 最低功耗
  • 更好的热管理，帮助实现更高可靠性
  • 适用于最高60 kHz的开关频率
  • 在容性峰值电流下具有最高可靠性 
  • 降低EMI滤波需求
图表
支持