英飞凌推出全新 EiceDRIVER™ 1200 V 半桥驱动器 IC系列，有源米勒钳位保护可提升高功率系统的耐用性

2023-5-6 | 市场新闻

【 2023 年 5 月 6 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。增强的电流输出能力将这一产品组合的适用性提升到更高的系统功率水平。这些器件能够提供业内领先的负极 VS 负瞬态电压抗扰度、击穿保护、欠压锁定保护和快速过电流保护特性。这些特性不仅可以减少器件，实现更坚固的设计，并且其紧凑的外形适用于高功率应用，如 商用暖通空调系统、 热泵、 伺服驱动器、工业逆变器以及输出功率高达 10 kW 的泵机和风扇。

 

该系列半桥驱动器 IC 有四种型号，分别采用两种不同的封装技术：2ED132xS12M 采用 DSO-16 300 mil封装，+2.3 A/-4.6 A 的电流能力；2ED132xS12P 则采用 DSO-20 300 mil封装，+2.3 A/-2.3 A 电流驱动能力。该系列产品具有很好的开关性能，封装保留足够爬电距离和电气间隙。该系列产品集成了低电阻（30 Ω）自举二极管、可提供超快且准确（±5% 容差）的过电流保护（OCP），并通过单独逻辑地（VSS）和输出地（COM）引脚来实现输入、故障输出和可编程故障复位等功能。2ED132xS12M 变体还具备有源米勒钳位（AMC）和短路钳位（SCC）的附加功能。

 

英飞凌的 SOI 技术消除了寄生晶闸管结构，提高了 VS 引脚上的负瞬态电压稳健性和抗扰度，这样可以保证在重复的 700 ns脉冲周期对100 V 的-VS 瞬变的承受力。此外，这些半导体器件均符合 RoHS 标准，并具有静电保护（ESD）和防潮能力。

 

供货情况

EiceDRIVER 2ED132X 系列现已开放订购。2ED132x + 1200 V SiC EASY1B PIM 评估板将于未来几个月上市。了解更多信息，请访问 www.infineon.com/1200VHVIC。英飞凌将在 PCIM Europe 2023展会上展示全新 EiceDRIVER 系列产品。

Information Number

INFGIP202304-094

Press Photos

  • 英飞凌继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。
    英飞凌继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。
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    英飞凌继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。
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