2ED2183S06F

概要

ブートストラップダイオード内蔵、DSO-8パッケージに収容された、650V、2.5A 大電流ハーフブリッジゲートドライバIC

DSO-8パッケージに収容された、650V ハーフブリッジ大電流高速ゲートドライバ、MOSFETおよびIGBT用、標準2.5Aシンクおよびソース出力電流。沿面距離のより大きい

 インフィニオンのSOIテクノロジーをベースにして、VSピンの負の過渡電圧に対する優れた堅牢性とノイズ耐性を備えています。デバイス内に寄生サイリスタ構造が存在しないので、すべての温度条件および電圧条件において寄生ラッチアップが発生しません。

特長

  • 最大で+650Vの動作電圧（VSノード）
  • 負のVS過渡耐性100V
  • 超高速低抵抗ブートストラップダイオード内蔵、部品コスト低減
  • フローティングチャネルによるブートストラップ動作
  • デッドタイム（400ns）対応のシュートスルー保護内蔵
  • 最大電源電圧25V
  • 2つのチャネルに、独立した低電圧ロックアウト（UVLO）
  • 200nsの伝播遅延
  • HIN、/LINのロジック入力
  • VSピンにおいて-11Vまでロジック回路動作可能
  • 入力において-5Vの負電圧を許容
  • ハイサイド構成でNチャネルMOSFET、SiC MOSFETまたはIGBTをドライブするためにフローティングチャネルを使用可能

利点

  • 大電流ゲートドライバ - 大電流パワーデバイスおよび高周波数アプリケーションに好適
  • ブートストラップダイオード（BSD）内蔵 - スペース節約、部品コスト低減、設計簡素化により低コストでPCB小型化
  • レベルシフト損失を50%低減
  • VSピンの負の過渡電圧（-100V）に対する優れた堅牢性とノイズ耐性

Find our Variations for 2ED2183S06F

Part No Package Input logic Interlock Deadtime
2ED2181S06F DSO - 8  HIN, LIN No

None   
2ED21814S06J DSO - 14 HIN, LIN No

None

2ED2182S06F

  DSO - 8  HIN, LIN  Yes  Internal 400 ns

2ED21824S06J

 DSO - 14 HIN, LIN

Yes

Programmable 400 ns - 5000 ns
2ED21834S06J DSO – 14 HIN, /LIN

Yes

Programmable 400 ns - 5000 ns
2ED2184S06F DSO - 8  IN,  /SD

Yes

Internal 400 ns
2ED21844S06J DSO – 14

IN, /SD

Yes

Programmable 400 ns - 5000 ns
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