インフィニオン、業界初のデュアルLDMOSパワーアンプを発表 -ドハーティ・アーキテクチャやコンパクトな携帯電話アンプに最適

2009/06/09 | テクノロジー メディア

ノイビーベルク(ドイツ)/ ボストン(米国)

独 インフィニオンテクノロジーズは、本日、IEEE MTT-S International Microwave Symposiumにおいて、無 線ネットワーク基地局向けデュアルLDMOSパワーアンプのシリーズを業界に先駆けて発表しました。シングルパッケージに2個のLDMOSアンプが集積されていて出力段が2回路あることから、ド ハーティ型アンプに最適です。また、コンパクトな設計としてボードスペースを削減したい場合にも便利です。

発表されたLDMOSパワーアンプのうち、2種類は1800MHzから2200MHzの周波数帯域を使用するWCDMA、LTE、TD-SCDMA用で、出力が30Wと40Wとなっています。も う一つは700MHzから1000MHzの周波数帯域を使用するWCDMA、LTE、GSM/EDGE用で、出力は30Wです。

これらのデュアルアンプは、メインパワーアンプとピークパワーアンプを別個に備えた3Gシステムや4Gシステムで必要とされる性能を実現するドハーティ回路に最適です。デ ュアルLDMOSパワーアンプは携帯電話基地局用アンプの小型化を可能にし、1セルでマルチキャリア運用を実現したいという業界ニーズを満たすことができます。マルチキャリア・マ ルチバンドアンプとしての利用を広帯域RF(無線周波数)変調帯域によりサポートしています。

インフィニオンのヘルムート・ヴォルガー(RFパワー担当バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャ)は、次のように述べています。「基地局メーカー各社に対しては環境に優しいインフラストラクチャー・ ソリューションが欲しいという圧力がかかっていますが、そのためには高効率で低消費電力、コンパクトなパワーアンプが必要です。今回発表したデュアルパワーアンプを活用すれば、消 費電力の削減と小型化の両方を実現できる画期的なアンプを設計することができます。」


デバイスの詳細
コストと性能のバランスをとるため、2製品が20ピンのプラスチックパッケージ、1製品が熱特性にすぐれた高性能なオープンキャビティ・パッケージとなっています。主 な性能は以下のとおりです。

• PTMA080304M-28V、960MHzのGSM/EDGE用で、ゲインは30dB、効率は28%で出力は6W×2チャンネルです。
• PTMA210304M-28V、2140MHzの2キャリアWCDMA用で、出力は3W×2チャンネル、ゲインは29dB、効率は22%で、ACPR(Adjacent Channel Power Ratio)は-48dBCです。
• PTMA210404FL-28V、2017MHzの6キャリアTD-SCDMA用ドハーティ回路に最適なアンプで、PARは7.5dB、出力は平均10W、ゲインは27dB、効率は35%、A CLRは-34dBcです。

PTMA080304MとPTMA21034Mは20ピンのプラスチックパッケージで、PTMA21040FLは熱特性にすぐれたオープンキャビティ・パッケージとなっています。全 製品ともRoHS準拠です。製造はすでに開始しています。 

インフィニオンについて

インフィニオンテクノロジーズ(Infineon Technologies AG)は、ドイツのノイビーベルクに本社を置き、エネルギー効率、コミュニケーションズ、セ キュリティという現代社会が抱える3つの大きな課題に対応する半導体およびシステムソリューションを提供しています。2008会計年度(9月決算)の売上高は43億ユーロ、従 業員は世界全体で約2万9,100人でした。インフィニオンは世界的に事業を展開しており、米国ではカリフォルニア州ミルピタス、アジア太平洋地域ではシンガポール、そ して日本では東京の各子会社を拠点として活動しています。インフィニオンは、ドイツではフランクフルト株式市場、米国では店頭取引市場のOTCQXに株式上場されています。
インフィニオンについての情報は次のURLをご参照ください。
本社サイト: http://www.infineon.com  
日本法人サイト: http://www.infineon.com/jp  

Information Number

INFWLS200906.062

Press Photos

  • The Infineon dual integrated LDMOS power amplifiers for wireless network base stations are incorporating two LDMOS amplifiers in a single package, providing two output power stages, making them ideal for Doherty-based amplifiers and for compact designs that benefit from reduced board space.
    The Infineon dual integrated LDMOS power amplifiers for wireless network base stations are incorporating two LDMOS amplifiers in a single package, providing two output power stages, making them ideal for Doherty-based amplifiers and for compact designs that benefit from reduced board space.
    WLS200906-062

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