6ED2231S12T 用于IGBT/SiC模块和分立器件的1200 V三相栅极驱动器，采用DSO-24封装，集成了自举二极管，并具有过流保护和更加严格的UVLO保护功能
综述
EiceDRIVER™ 1200 V三相栅极驱动器，用于IGBT（绝缘栅双极晶体管） 和SiC（碳化硅）模块和分立器件，采用DSO-24封装，具有典型的0.35 A 拉电流和0.65 A灌电流。
6ED2231S12T利用我们的1200 V薄膜绝缘体上硅（SOI）技术，其独特优势包括三个低欧姆集成式自举二极管（BSD）和业界领先的鲁棒性，可耐受负瞬态电压尖峰。
6ED2231S12T是一个高压、高速IGBT栅极驱动器，具有三个独立的高边和低边输出通道，适用于三相应用。6ED2231S12T在DSO-24封装中集成了保护功能，例如，带快速准确的故障报告（+/-5%）的过流保护、上下桥臂直通保护和更严格的欠压锁定（UVLO）保护功能。DSO-24封装（即移除了 4 个管脚的DSO-28封装）实现了小型IC封装和间隙距离之间的最佳平衡。
6ED2231S12T非常适用于6 kW或采用额外的外部电流Booster电路驱动更高功率水平的小功率系统。与英飞凌IGBT/SiC模块（例如，EasyPACK 1B或EasyPACK 2B）结合时，其设计可在性能、小尺寸和成本之间实现最佳平衡。这一点通过EVAL-6ED2231S12TM1评估板可以评估这一器件。
6ED2230S12T是1200 V电平转换功能结隔离（JI）栅极驱动器系列的一员。
特征描述
- 1200 V 绝缘衬底上的硅 SOI 技术
- 集成超快自举二极管
- 可承受SOI技术带来的高达-100 V的负瞬态电压（脉冲宽度达700 ns）
- 输出拉电流/灌电流能力： +0.35 A/-0.65 A
- 过流保护（ITRIP +/- 5%参考）
- 集成460 ns死区时间保护
- 上下桥臂直通保护
- 集成输入滤波器，用于抗噪
- 独立的VCC和VBS欠压锁定，ULVO电平误差小
- 同一管脚有故障报告、自动故障清除和启用功能 (RFE)
- 所有通道均有匹配的传播延迟
- 输入逻辑兼容：3.3 V、5 V和15 V
- DSO-24封装（为了实现大电气间隙，移除了DSO-28的4个管脚）
优势
- 三相栅极驱动器，尺寸小巧，采用集成式自举二极管，可以以更简单的设计和更低的成本，降低BOM成本、缩小PCB空间。
- 经优化的栅极驱动器解决方案，具有设计灵活性，适用于基于IGBT/SiC的PIM模块、分立器件。
- 100 V负瞬态电压，提高了可靠性/鲁棒性。
- 电平转换损耗降低50%，可实现更低的工作温度和更高的可靠性。
- 抗闩锁能力，提高了可靠性。
- 集成快速准确的过流保护功能，与分立式运算放大器解决方案相比，更加节省空间和成本，同时还保护了开关。
- 欠压锁定保护功能可在低电源电压下提供保护。
- DSO-24封装（移除了4个管脚的DSO-28）在小型IC封装和电气间隙距离之间实现了最佳平衡。
| Part No | Package | Configuration | Io+/- (typ.) | UVLO (on/off) typ. |
|---|---|---|---|---|
| DSO-24 |
Three-phase |
0.35 / 0.65 A |
11.3 / 12.2 V | |
| SSOP-24 |
Half-bridge |
2 / 3 A |
9.3 / 10.2 V | |
| DSO-24 |
Three-phase |
0.35 / 0.65 A |
9.4 /10.4 V | |
| DSO-28 |
Three-phase |
0.25 / 0.5 A |
8.2 / 8.6 V | |
| DSO-16 |
High- and low-side |
2.0 / 2.5 A |
9.3 /10.2 V |
图表
培训
支持
