功率二极管 & 晶闸管 (Si/SiC)-英飞凌(Infineon)官网
采用不同设计和封装的功率二极管与晶闸管
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折叠所有子类别 展开所有子类别核心技术追求的最佳可靠性和最佳效率的目标总是在不断变化。因此,我们深知持续改进必不可少。作为功率半导体和晶闸管的市场领导企业,我们在世界各地面向发电、输电、供电和电力控制提供核心技术。
我们最强烈的愿望就是助力客户在其市场竞争中取得成功。因此,我们一直在为他们的系统革新、开发和制造最先进的解决方案:具有最高功率密度和更多功能的高性能平板封装器件、具有高性价比的晶闸管/二极管模块、采用分立封装的高效硅基或 CoolSiCTM碳化硅二极管以及裸片等灵活多样产品组合
大功率二极管和晶闸管旨在显著提高众多应用的效率,覆盖10 kW-10 GW的宽广功率范围,树立了行业应用标杆。分立式硅或碳化硅(SiC)肖特基二极管的应用范围包括服务器堆场、太阳能发电厂和储能系统等;同时适用于工业和汽车级应用。
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数十年来,晶闸管一直是这个应用领域的主导技术。如今,除晶闸管之外,HVDC系统和FACTS也会使用IGBT模块以满足不同需求。
最具性价比——英飞凌最新推出的CoolSiC™肖特基二极管650 V G6。
英飞凌提供用于功率转换系统的大功率产品组合,以帮助客户实现设计目标。
电力创造美好生活:电力给住宅送来温暖,为汽车提供动力,让特大城市灯火璀璨。全球用电需求巨大,但发电资源日趋枯竭。
Rapid 1和Rapid 2系列硅功率二极管通过填补碳化硅二极管与发射极控制二极管之间的空白,对现有的大功率600 V / 650 V二极管产品组合进行了补充。
英飞凌的Rapid 1二极管系列拥有温度特性稳定的1.35V正向电压 (VF),可确保导通损耗最低并且通过软恢复的方式使EMI辐射降至最小。
Rapid 2二极管系列专门针对频率介于40kHz和100kHz区间的应用设计,提供最低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr),最大限度地缩短导致功率开关导通损耗的反向导通时间,从而最大限度地提高能效。