英飞凌推出面向毫米波无线回程传输的SiGe收发器;单片IC简化Small Cell回程链路设计

2013-4-16 | 技术媒体

2013年4月16日,德国纽必堡讯 – 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日发布一个可取代十余个独立器件从而简化系统设计和生产工作的收发器产品线。由于功耗更低,这 一高度集成的单片收发器,还可帮助降低高数据速率毫米波无线回程通信系统的固定费用。新产品面向LTE/4G基站和核心网之间数据速率超过1Gbps的无线数据链路。

英飞凌BGTx0器件采用标准塑料封装,一枚芯片可取代现有系统设计中采用的超过十个离散式器件。对继续采用标准化SMT贴片组装工艺的客户而言,它可大大简化装配流程。

BGTx0产品线搭载一个面向采用57-64 GHz、71-76 GHz或81-86 GHz毫米波频段的无线通信系统的射频前端。此外,该系统解决方案还集成了基带/调制解调器功能,可 减少占板空间,提高支持LTE/4G网络的基站所需的关键无线回程链路的可靠性,并降低其成本。

英飞凌科技副总裁兼射频和保护器件业务线总经理Philipp von Schierstaedt表示:“可供LTE/4G回程传输使用的V-和E-微波频段,可 支持的数据速率相当于前一代网络的三倍。相应地,它们需要极高的射频性能,以迎合运行需求。通过推出新的收发器产品线,英飞凌充分运用其高级工艺和射频设计专长,帮助系统设计人员降低复杂度,简化生产工作,最 终提高其回程传输解决方案的质量和现场可靠性。”

BGTx0收发器在一枚小巧的芯片上集成了所有的射频组件,其中包括 I/Q调制器、压控振荡器(VCO)、功率放大器(PA)、低噪放大器(LNA)、可编程增益放大器(PGA)、S PI控制接口等 ,采用嵌入式晶圆级球栅阵列(eWLB)封装。在生产过程中可利用内建自检(BIST)对射频性能进行验证和校准,这有助于简化在生产线上将芯片装入设备制造商最终产品的过程。

SiGe工艺出色的射频性能——包括输出功率高达18 dBm的功率放大器、噪声系数低至6 dB的低噪放大器,以及优于-85dBc/Hz(100kHz偏移)的VCO相噪,可 让系统设计人员实现高阶调制方案, 譬如采样率达到每秒5亿个信号样品的QAM64,或者在误码率为10-6时,采样率达到每秒十亿个信号样品的QAM32。该器件的静电防护(ESD)性能超过1kV,可 提高客户系统设计的鲁棒性,并简化设计任务。该回程传输收发器产品线的功耗低于2W,可降低网络运营商的电力成本。该系列产品采用直接转换架构,与当前的离散式毫米波系统相比,可 大大简化射频和基带之间的接口设计。

此外,系统供应商还可受益于英飞凌汽车级品质SiGe IC生产工艺的质量和可靠性。

供货和价格

BTGx0产品线的工程样片将于今年9月推出,批量生产计划年底开始。

更多信息,请访问 www.infineon.com/backhaul

About Infineon

总部位于德国纽必堡的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域—— 高能效移动性安全性提供半导体和系统解决方案。2012财年(截止到9月30日),公司实现销售额39亿欧元,在全球拥有约26,700名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚 太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司目前在法兰克福股票交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场(OTCQX)International Premier(股票代号:IFNNY)挂 牌上市。

更多信息请访问 www.infineon.com

本新闻稿还可在 www.infineon.com/press/上找到。

Information Number

INFPMM201304.035

Press Photos

  • Devices in the Infineon BGTx0 product family come in a standard plastic package and replace more than 10 discrete devices used in current system designs with one single chip.
    Devices in the Infineon BGTx0 product family come in a standard plastic package and replace more than 10 discrete devices used in current system designs with one single chip.
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