英飞凌将推出适用于不同无线应用的基于新型硅锗碳技术的超低噪音值射频晶体管

2005-8-31 | 技术媒体

2005年8月XX日,德国慕尼黑讯——英飞凌科技公司(FSE/NYSE: IFX)推出了面向低成本高性能射频半导体设备的新型硅锗碳(Silicon-Germanium Carbon)工艺技术。这 种创新硅锗碳技术是英飞凌最新一代异质结双极型晶体管(HBT)的基础。HBT为基于硅晶体的离散晶体管实现了世界上最低的噪音值,在6GHz条件下仅为0.75dB,同 时能在相同条件下实现高达19dB的增益。 随着新的 HBT系列产品(BFP740)的推出, 英飞凌弥补了现有性能差距 ,这些特性原来只能通过使用更昂贵的基于砷化镓(GaAs)的技术来实现。

新型硅锗碳晶体管适用于多种频率超过10GHz的射频和无线应用,如低噪音放大器 (LNA)、微波振荡器以及各种标准的通用放大器,包括全球定位系统(GPS)、无线局域网 (802.11a, b, g)、 WiMAX、无线电话、超宽带(UWB)、卫星电视LNB (低噪音模块) 和卫星广播服务 (如 XM广播、Sirius和数字音频广播)。

“BFP740系列产品的推出是英飞凌在扩展高性能射频晶体管产品组合道路上的又一里程碑。这些新型HBT将帮助射频设计师实现产品性能的显著提升,同 时还可以保留使用传统SMT封装设备固有的低价和可生产性等特性。”英飞凌科技公司硅组件部门产品营销主管Michael Mauer评论道,“通过解决某些前端需求,如低噪音值和高增益,新 型射频晶体管是现在和未来频率10GHz或以上的无线应用的理想解决方案。”

英飞凌推出的新型射频晶体管的转换频率是42GHz,并能提供目前硅锗碳市场上能实现的最低噪音值水平:0.5dB/1.8GHz 和0.75dB/6GHz。凭 借28dB/1.8GHz到19dB/6GHz高度的最稳定增益和低电流运行,这些设备是许多射频和无线应用的理想选择,例如无线局域网(WLAN)。英 飞凌的HBT芯片为实现额外的高可靠性采用了黄金金属化技术。

硅锗碳工艺技术
英飞凌硅锗碳工艺技术独特之处在于大幅度降低的基极电阻,从而达到世界上基于硅晶体的离散晶体管的最低噪音值。另外,英飞凌还开发了大幅度削减寄生接地电感的新方法。这 种独特的接地概念允许在继续使用低成本行业标准塑料封装的情况下,在更高的频率下获得高增益值。

上市和封装
BFP740 HBT系列产品正在进行批量生产,并采用标准SOT343 (BFP740)、铅薄板TSFP-4 (BFP740F)和超小3针脚无铅TSLP-3 (BFR740L3)封装。T SLP-3 的封装尺寸只有1.0mm x 0.6mm x 0.4mm。

如欲了解英飞凌基于硅锗碳工艺技术的晶体管的更多信息,敬请访问: www.infineon.com/bfp740。

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英飞凌简介
总部位于德国慕尼黑的英飞凌科技公司,为汽车和工业行业、固网通信市场提供半导体和系统解决方案,以及安全移动解决方案以及内存产品。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国圣何塞、加拿大、亚 太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。2004财年(截止到9月份),公司实现销售额71.9亿欧元,在全球拥有约35,600名雇员。英飞凌公司已列入法兰克福股票交易所的DAX指数,并 在纽约股票交易所挂牌上市,股票代号:IFX。如欲了解更多信息,敬请登录www.infineon.com

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