Silicon Carbide (SiC)

碳化硅（SiC）器件属于宽禁带半导体，与常用的硅（Si）技术相比，它们可为高压功率半导体带来许多富有吸引力的特性。由于拥有更大的击穿场强和热导率，SiC可以打造出性能远优于Si技术的半导体器件，从而让您能在设计中达到无与伦比的效率水平。

产品系列包含CoolSiC™ MOSFET模块和分立器件，CoolSiC™肖特基二极管，另外还有CoolSiC™混合模块。将它们与合适的EiceDRIVER™相结合，可以充分发挥出您的设计。

基于硅的快速开关与SiC二极管结合在一起，可以得到通常所称的“混合”解决方案。近年来，英飞凌已生产出数以百万计的混合模块，这些模块已被安装到客户在太阳能和UPS等应用领域的各种产品中。我们的CoolSiC™ MOSFET是采用最先进的沟槽工艺打造的，可在应用中实现最低损耗，在运行时达到最高可靠度。

因为整合了革命性的碳化硅（SiC）技术、广泛的系统理解、优质的封装和卓越的制造能力，英飞凌CoolSiC™可让您打造出系统性价比最优的全新产品设计。

了解碳化硅（SiC）晶体管如何被越来越多地用于功率转换系统，并对尺寸、重量和效率提出了高要求。由于材料性能优异，SiC能够实现快速开关单极性器件设计——与双极性器件IGBT相对。因此，适用于低压环境（< 600 V）的解决方案如今也能适用于高压环境。

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先进的设计都是围绕导通电阻而进行，将其作为特定技术的主要基准参数。然而，在电阻和开关损耗等主要性能指标以及实际电力电子设计其它相关因素（如足够的可靠性）之间找到适当的平衡也很重要。

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因为在功率转换系统上实现了巨大的改进，SiC沟槽MOSFET可帮助我们更进一步地迈向高能效世界。

阅读全文，了解英飞凌在产品放行过程中如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性，从而达到理想的寿命和质量要求。

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SiC论坛为您提供了交流想法并分享经验的平台，在这里我们的SiC器件及应用专家为您提供有关CoolSiC™ MOSFET模块和单管的建议。

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CoolSiC™ MOSFET等超快速开关器件的完美使用需要性能优异的门极驱动。因此，建议选择基于英飞凌无铁芯变压器技术的隔离驱动EiceDRIVER™芯片

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过去几年里，碳化硅功率半导体解决方案的使用率大幅增长，这是一场可以依赖的革命。这种市场发展状况背后的推动力：节能、小型化、系统集成化、可靠性提高。

在未来几年，碳化硅解决方案将扩展到其他应用领域，如工业或牵引驱动领域。其原因在于市场继续推动减少损耗，这不仅是为提高效率，也是为减小封装，而这是降低散热需求的结果。碳化硅现已用于高端解决方案和小众解决方案。如今的设计利用这些优势来降低特定应用领域的系统成本。

1200 V CoolSiC™ MOSFET 在电动汽车快速充电领域的应用

在同一充电站和相同外形尺寸条件下，CoolSiC™ MOSFET可将充电时间缩短一半。1200 V SiC MOSFET足以支持800 V的直流母线电压。得益于开关位置的电压翻倍，提高一倍的功率密度可使零部件数量相较类似硅基解决方案减少一半。导通和开关损耗降低50%，CoolSiC™ MOSFET的整体效率因此得以提高，并降低了冷却需求。

1200 V CoolSiC™ MOSFET 在太阳能领域的应用

采用CoolSiC^TM MOSFET时，组串式逆变器的功率在设备重量相同的情况下可以提高一倍。CoolSiC™可让功率密度提高2.5倍——比如，从50 kW（Si）提高到125 kW（SiC），而设备重量却不到80 kg，可由两名组装工人合力抬起来。而且，相比硅基解决方案，它在高温工况下的效率降幅显著下降。最高效率可达到99%以上。

 1200 V CoolSiC™ MOSFET 在工业电源中的应用

对于24/7全天候运行的在线UPS系统而言，我们的CoolSiC™ MOSFET可让效率达到最高，而电能损耗减少一半。它还能减少所需的散热器和滤波器数目，从而让尺寸、占地面积和外壳都变小。在大功率UPS中使用CoolSiC™ MOSFET，可以改进5年运行期内的总拥有成本（TCO）：由于效率水平达到最高，冷却需求可被降低，从而将维护与维修成本控制在最低。

1200 V CoolSiC™ MOSFET 在伺服驱动中的应用

CoolSiC™ MOSFET驱动新一代伺服驱动设计！由于开关损耗降低50%以上，以及由于电阻特性导致低电流导通损耗降低80%，总损耗最多可以降低80%。由于被动冷却已能满足需求，所以不再需要冷却风扇，这使得维护需求可被降到最低。另外，CoolSiC™支持电机与驱动相集成，这可以降低布线的复杂度。

1200 V CoolSiC™ MOSFET 在储能系统中的应用

1200 V CoolSiC™ MOSFET可将电能损耗减少50%。由于电池组占储能系统总成本的绝大部分，所以在不增加电池尺寸的情况下，将超级结MOSFET换成1200 V CoolSiC^TM MOSFET可以带来大约2%的节能效果。

用于逆变器的汽车级1200V CoolSiC™ MOSFET

汽车级1200V CoolSiC™ MOSFET具有低开关损耗和更低的导通损耗（轻载条件下），可为牵引逆变器应用带来高效率。对于HEV和PHEV而言，这可帮助降低二氧化碳排放水平。对于BEV而言，这可使特定尺寸电池的续航里程增加10%，或者在同等续航里程下缩小电池尺寸。    

用于车载充电器的汽车级1200V CoolSiC™ MOSFET

汽车级1200V CoolSiC™ MOSFET的低开关损耗对于通常快速开关、高开关频率 (<65kHz)的车载充电器（OBC）系统非常有吸引力。这不仅可实现高效设计，还可能实现更高的开关频率，以缩小无源器件尺寸，从而实现更高的功率密度。此外，MOSFET通道可实现正向和反向导通，带来高效的双向充电器。