HiRel Radiation Hard PowerMOS Transistor
综述
英飞凌抗辐射功率MOS管基于我们独家的CoolMOS™技术,是世界范围内250V半导体器件抗辐射能力和电气性能的衡量基准。该器件可承受高于100krad 的电离总剂量(TID)(若有特殊要求可达300krad),采用氙离子时可抗击LET55的单粒子效应,采用铝离子则可达LET84水平。
英飞凌抗辐射功率MOS管导通电阻R DS(on)极低,考虑单粒子效应(SEE)的情况下安全工作区仍旧宽裕,是业界最优的抗辐射功率MOS管,适用于多种航空及航天应用。
若有要求,抗辐射功率MOS管也可以裸片形式供应。
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