HiRel Radiation Hard PowerMOS Transistor

英飞凌抗辐射功率MOS管基于我们独家的CoolMOS™技术，是世界范围内250V半导体器件抗辐射能力和电气性能的衡量基准。该器件可承受高于100krad 的电离总剂量（TID）（若有特殊要求可达300krad），采用氙离子时可抗击LET55的单粒子效应，采用铝离子则可达LET84水平。

英飞凌抗辐射功率MOS管导通电阻R DS(on)极低，考虑单粒子效应（SEE）的情况下安全工作区仍旧宽裕，是业界最优的抗辐射功率MOS管，适用于多种航空及航天应用。

若有要求，抗辐射功率MOS管也可以裸片形式供应。