CoolSiC™肖特基二极管 1200V

高效、紧凑和简单的三相逆变器系统的实施目前受限于硅器件在1200V电压下工作的高动态损耗。使用 600V/650V 设备的替代设计可以提高一部分效率。但是，它们需要以更复杂的 (3级) 拓扑为代价，3级拓扑具有复杂的控制方案和更多的功率组件。

由于具有零反向恢复损耗，英飞凌1200V 碳化硅二极管与硅HighSpeed 3 IGBT结合后，可以实现更简单的2级拓扑结构。它还可以降低 40％的硅IGBT开通损耗和EMI。此外，与基于硅的解决方案相比，改进热性能现在可以将结温降低15％，从而提高系统可靠性，而且在给定形状因子下有可能提高输出功率。

碳化硅二极管的静态损耗往往限制了硅 IGBT / 碳化硅二极管解决方案的优化潜力。为了解决这个问题，第5代二极管降低了正向电压和温度依赖性，从而减少了静态损耗并降低了性能代价。新型第5代针对太阳能逆变器、UPS系统、电机驱动器和三相SMPS。