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IGBT ディスクリート

IGBT ディスクリート市場のリーダーシップ: 画期的なイノベーションとアプリケーション中心のソリューション

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概要

IGBTディスクリートの紹介

最高水準の性能と品質を目指して、インフィニオンは他に類を見ない包括的なディスクリートIGBT ポートフォリオを提供しています。新製品はアプリケーション固有であり、最高の価値を達成するために開発されています。

600～1600 V まで、各アプリケーションのさまざまな電圧要件を満たすために、幅広いIGBT 電圧クラスを提供しています。インフィニオンのディスクリートIGBT パッケージポートフォリオには、D²PAK、DPAK、SOT-223などのSMD (表面実装デバイス) パッケージと、TO220、TO220FP、TO247、TO247-4、TO247PLUS、TO-247PLUS-4、TO247 強化絶縁型などのスルーホールパッケージが含まれています。

当社は、アンチパラレル ダイオードの有無にかかわらずディスクリートIGBTソリューションを提供しており、産業、家電製品、自動車アプリケーションでの使用に最適です。

IGBT ディスクリートポートフォリオ

インフィニオンの包括的なIGBT ディスクリート製品ラインアップは、エネルギーチェーン全体のアプリケーションに最高の価値を提供するために開発されました。パッケージポートフォリオには、表面実装デバイス (SMD) パッケージ、スルーホールパッケージ、および高度な絶縁パッケージがあります。

アプリケーションに適したIGBT を見つけてください - 切り替える時です。

アプリケーション情報

インフィニオンのIGBTディスクリートポートフォリオは、産業用、民生用、車載用アプリケーションに対応し、設計ニーズに最適な製品をご提案します。600～1600 V の幅広い製品は、各アプリケーションのさまざまな電圧要件を満たします。

インフィニオンの特定用途向けディスクリートIGBT の包括的なポートフォリオにより、最高水準の性能と品質を達成することができます。

IGBT テクノロジー

IGBT は電流の高速スイッチングにより、スイッチング損失を最小限に抑えることができます。これらは、バイポーラ トランジスタの高い導電能力と高い耐圧による利点を、容量性で電力損失の低い制御と組み合わせています。IGBT は非常に高い電圧に耐えることができ、現在、電圧が600V を超えるアプリケーションで主流の技術です。

IGBT は、設計上、本質的にフリーホイール ダイオードやボディ ダイオードを含んでいません。 ただし、このダイオードは、逆電流を防止するフリーホイール経路を提供してスイッチを保護するために必要です。

IGBTディスクリートの紹介

最高水準の性能と品質を目指して、インフィニオンは他に類を見ない包括的なディスクリートIGBT ポートフォリオを提供しています。新製品はアプリケーション固有であり、最高の価値を達成するために開発されています。

600～1600 V まで、各アプリケーションのさまざまな電圧要件を満たすために、幅広いIGBT 電圧クラスを提供しています。インフィニオンのディスクリートIGBT パッケージポートフォリオには、D²PAK、DPAK、SOT-223などのSMD (表面実装デバイス) パッケージと、TO220、TO220FP、TO247、TO247-4、TO247PLUS、TO-247PLUS-4、TO247 強化絶縁型などのスルーホールパッケージが含まれています。

当社は、アンチパラレル ダイオードの有無にかかわらずディスクリートIGBTソリューションを提供しており、産業、家電製品、自動車アプリケーションでの使用に最適です。

IGBT ディスクリートポートフォリオ

インフィニオンの包括的なIGBT ディスクリート製品ラインアップは、エネルギーチェーン全体のアプリケーションに最高の価値を提供するために開発されました。パッケージポートフォリオには、表面実装デバイス (SMD) パッケージ、スルーホールパッケージ、および高度な絶縁パッケージがあります。

アプリケーションに適したIGBT を見つけてください - 切り替える時です。

アプリケーション情報

インフィニオンのIGBTディスクリートポートフォリオは、産業用、民生用、車載用アプリケーションに対応し、設計ニーズに最適な製品をご提案します。600～1600 V の幅広い製品は、各アプリケーションのさまざまな電圧要件を満たします。

インフィニオンの特定用途向けディスクリートIGBT の包括的なポートフォリオにより、最高水準の性能と品質を達成することができます。

IGBT テクノロジー

IGBT は電流の高速スイッチングにより、スイッチング損失を最小限に抑えることができます。これらは、バイポーラ トランジスタの高い導電能力と高い耐圧による利点を、容量性で電力損失の低い制御と組み合わせています。IGBT は非常に高い電圧に耐えることができ、現在、電圧が600V を超えるアプリケーションで主流の技術です。

IGBT は、設計上、本質的にフリーホイール ダイオードやボディ ダイオードを含んでいません。 ただし、このダイオードは、逆電流を防止するフリーホイール経路を提供してスイッチを保護するために必要です。

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