Active and preferred
RoHS準拠

IRFB7730

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRFB7730
IRFB7730
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    195 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    271 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.6 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.19
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB7730PBF
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり

利点

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Optimized for 10 V gate-drive voltage (called normal level)
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current carrying capability package (up to 195 A, die-size dependent)
  • Capable of being wave-soldered

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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