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生産終了
生産終了
RoHS準拠

AUIRFS3107-7TRL

生産終了
75V, N-Ch, 2.6 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, Gen 10.7
データシート
パッケージ

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AUIRFS3107-7TRL
AUIRFS3107-7TRL
データシート

Product details

  • ID (@ TC=25°C) max
    260 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    190 A
  • ID (@25°C) max
    240 A
  • Ptot max
    370 W
  • Qgd
    57 nC
  • QG (typ @10V) max
    240 nC
  • QG (typ @10V)
    160 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.6 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    75 V
  • VGS(th)
    2 V to 4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 技術
    Trench Mosfet
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive
OPN
AUIRFS3107-7TRL
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 PG-TO263-7
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-7
パッケージ名 PG-TO263-7
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL LEFT
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

機能

  • Advanced Process Technology
  • Ultra Low On-Resistance
  • Enhanced dV/dT and dI/dT capability
  • 175°C operating temperature
  • Fast Switching
  • Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
  • Lead-Free, RoHS Compliant
  • Automotive Qualified
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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