急成長する電気自動車市場では、e-Powertrainの設計者は、より長い駆動距離、コンパクトなサイズ、最適なシステム コストを実現することが求められています。

IGBTからSiCに置き換えることでインバーター単体では消費電力を69%、パワートレイン全体では7.6%程度削減することが可能です。これによりインバーターの設計には、IGBTに加えてシリコンカーバイド製のMOSFETが次期プラットフォームの有望なソリューションとなります。