インフィニオンの性能最適化チップ技術 (Gen1p) をベースに、0 Vターンオフゲート電圧によるユニポーラゲート駆動が可能なため、PCB上の部品点数を削減でき設計が簡素化されます。また、パッケージの沿面距離が4.8 mmのため、絶縁コーティングを追加することなく、動作電圧900 V超を実現しています。パッケージ寄生容量が低減されることで、スイッチング損失が低減され、また、対照的なリード配置により設計が簡素化され放熱性が向上します。パッケージ寄生成分の低減により、顧客はスイッチング損失の低減と設計の簡素化といったメリットを享受できます。また、対称的なリード レイアウトにより熱サイクル性能が向上し、熱放散が改善されます。.XTテクノロジーを使ったチップの拡散はんだ付けにより、放熱性をより向上させています。
Q-DPAKパッケージの車載アプリケーション向けCoolSiC™ MOSFET 1200 Vは、自動車Tier１メーカーやOEMメーカーの電気自動車のオンボードチャージャー (OBC) やDC-DCコンバーターに対する設計要求に応える製品で、他の上面放熱 (TSC) パッケージと併せて、容易に組み立てられる (同じパッケージ高、同じギャップフィラー) システム ソリューション アプローチを実現します。
関連製品
| 製品名 | 販売状況 | インフィニオンのパッケージ名 | VDS max [V] | RDS(on) @ Tj = 25°C [mΩ] | ID @25°C (max) [A] |
| AIMCQ120R020M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 19 | 116 |
| AIMCQ120R030M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 30 | 78 |
| AIMCQ120R040M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 40 | 61 |
| AIMCQ120R060M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 60 | 44 |
| AIMCQ120R080M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 80 | 34 |
| AIMCQ120R120M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 117 | 24 |
| AIMCQ120R160M1T | active and preferred | PG-HDSOP-22 | 1200 | 160 | 18.6 |
