CoolSiC™ ショットキーダイオード 650V G5、G6

概要

効率性と価格性能の向上

インフィニオンのCoolSiC™ショットキーダイオード650Vは、最先端のシリコンカーバイド製造設備、実績、最高品質、非常にきめ細かな組み合わせのG5 / G6ポートフォリオを活用して、最高の価格性能と顧客価値を市場に提供します。

製品
ハイライト

NEW! CoolSiC™ Schottky diodes 650V G6

NEW! CooSiC™ショットキーダイオード650V G6

CoolSiC™ショットキー・ダイオード650V G6は、SiCショットキー・バリア・ダイオード用のインフィニオンの最先端技術であり、シリコン上のSiCのすべての利点を十分に活用しています。インフィニオン独自の革新的なはんだ付けプロセスは、よりコンパクトな設計、薄いウェハ技術、および斬新なショットキーメタルシステムと組み合わされています。その結果、クラス最高の性能指数（Qc×VF）の結果、すべての負荷条件で効率が改善された製品群が得られます。 CoolSiC™G6ダイオードは、Infineonの600Vおよび650V CoolMOS™7ファミリを補完し、この電圧範囲で最も厳しいアプリケーション要件を満たします。

主な機能

  • 最低VF：1.25V
  • クラス最高の性能指数（Qc x VF）
  • 逆回復電荷はありません
  • 温度に依存しないスイッチング動作
  • 高dv / dt耐久性
  • 最適化された熱特性

利点

  • すべての負荷条件でのシステム効率の向上
  • システム電力密度の向上
  • 冷却要件の削減とシステムの信頼性向上
  • 非常に高速なスイッチングを可能にする
  • CoolMOS™7ファミリーとの簡単で効果的なマッチング
  • 最適な価格パフォーマンス

アプリケーション

  • テレコム/サーバSMPS
  • 太陽
  • PC電源
  • 照明

CoolSiC™ショットキー・ダイオード650V G5

Features

  • 650VでのVBR
  • メリット向上 (Q c x VF)
  • 逆回復電荷はありません
  • ソフトスイッチング逆回復波形
  • 温度に依存しないスイッチング動作
  • 高い動作温度（Tjmax 175℃）
  • サージ能力の向上
  • 鉛を含まない端子めっき

利点

  • スーパージャンクションデバイスと完全にマッチングする。 CoolMOS™など
  • すべての負荷条件での効率改善
  • シリコンダイオード代替品と比較して効率が向上
  • EMIの低減
  • 安定したスイッチング性能
  • 冷却要件の削減
  • RoHS対応
  • 非常に高品質で大量の製造能力

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