SiC（シリコンカーバイド）

インフィニオンのCoolSiC™半導体ソリューションは、エネルギースマートな世界に向けた次のステップです。 インフィニオンのCoolSiC™は、画期的なSiC技術と幅広いシステム理解、クラス最高のパッケージング、優れた製造技術を組み合わせることで、高いシステムコストパフォーマンス比で新製品設計を開発することができます。

シリコンカーバイド（SiC）デバイスは、いわゆるワイドバンドギャップ半導体に属します。 これらは、一般的に使用されるシリコン（Si）と比較して、高耐圧パワー半導体に多くの魅力的な特性を提供します。 特に、SiCのはるかに高い破壊電界強度および熱伝導率により、対応するSiよりはるかに優れたデバイスです。 このようにして、設計で達成不可能な効率レベルに達することができます。

The use of SiC based power semiconductor solutions has shown a huge increase over the last years, it is a revolution to rely on. Driving forces behind this market development are the following trends: energy saving, size reduction, system integration and improved reliability.

The combination of a fast silicon based switch with a SiC diode – is often termed a “hybrid” solution. In recent years Infineon has manufactured several millions of hybrid modules and has seen them installed in various customer products.

Over the next few years, SiC solutions will expand into other application fields such as industrial or traction drives. The reasons for this are the market forces pushing for loss reduction, not only for the sake of improved efficiency but also for smaller packages – resulting from reduced heat sink requirements. As shown in figure above, SiC is already being used for high end and niche solutions. Today’s designs use these benefits to reduce system cost in specific application areas.