SiC（シリコンカーバイド）
CoolSiC™ - 革命的製品
インフィニオンのCoolSiC™半導体ソリューションは、エネルギースマートな世界に向けた次のステップです。 インフィニオンのCoolSiC™は、画期的なSiC技術と幅広いシステム理解、クラス最高のパッケージング、優れた製造技術を組み合わせることで、高いシステムコストパフォーマンス比で新製品設計を開発することができます。
SiC（シリコンカーバイド） サブカテゴリー
シリコンカーバイド（SiC）デバイスは、いわゆるワイドバンドギャップ半導体に属します。 これらは、一般的に使用されるシリコン（Si）と比較して、高耐圧パワー半導体に多くの魅力的な特性を提供します。 特に、SiCのはるかに高い破壊電界強度および熱伝導率により、対応するSiよりはるかに優れたデバイスです。 このようにして、設計で達成不可能な効率レベルに達することができます。
パワー半導体の未来
SiCベースのパワー半導体ソリューション導入件数はここ数年大きな伸びを示しており、これは革命とも言えるものです。省エネや省スペース、システム統合、信頼性の改善などのトレンドが、こうしたSiC市場の発展を後押ししています。
シリコンを用いた高速なスイッチとSiCダイオードの組み合わせは通常「ハイブリッド」ソリューションと呼ばれます。ここ数年間にインフィニオンが生産したハイブリッドモジュールは数百万個に及び、お客様のさまざまな製品に組み入れられています。
今後数年にかけて、SiCソリューションは産業用や車両用などの別のアプリケーション分野に広がっていきます。このようになる理由は、効率の向上による損失低減だけではなく、ヒートシンク縮小の要求によるパッケージ小型化を促す市場の圧力があるためです。上記の図で示したとおり、SiCはすでにハイエンドソリューションとニッチソリューションに使われています。現在の設計では、このような利点が特定のアプリケーション領域でのシステムコスト削減のために活かされています。
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シリコンカーバイド（SiC）フォーラム
SiCウェブフォーラムは、コミュニティとのアイディア交換や、インフィニオンのSiC専門家にアドバイスを求めて頂くことで、CoolSiCTM MOSFETモジュールやディスクリートの経験を共有するためのプラットフォームです。
