FS33MR12W1M1H_B70 1200 V CoolSiC™ MOSFET 6in1 モジュール

概要

1200 V/33 mΩ EasyPACK™ 1B CoolSiC™ MOSFET M1H 6in1モジュール: NTCおよびPressFITピン搭載、窒化アルミニウム (AlN) セラミック採用

特長

  • 高さ12.25 mm統一された最高クラスのパッケージ
  • 最先端WBG材料とEasyPACK™ モジュールパッケージの組合せ
  • きわめて低い浮遊インダクタンス
  • 進化したCoolSiC™ MOSFET MH1技術
  • ゲート駆動電圧範囲を拡大
  • ゲートソース間電圧+23 V/-10 V
  • 過負荷状態でのTvj.opが175℃まで向上
  • PressFITピン
  • NTC温度センサを搭載

利点

  • 卓越したモジュール効率
  • システムコストの優位性を実現
  • システム効率向上
  • 冷却システムの小型化
  • 高周波駆動
  • 電力密度の向上
  • DCB材料の熱伝導性の向上
図
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