FF8MR12W2M1_B11

概要

1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFET, NTC, PressFIT 圧接技術によるEasyDUAL™ 2B 1200V, 8mΩ ハーフブリッジモジュール

特長

  • 高い電流密度
  • クラスで最も低いスイッチング損失、導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS準拠

利点

  • 高い効率性により冷却を簡素化可能
  • 高効率動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルおよび市場投入までの時間を短縮

変わりつつある商用車 - 電子化が引き起こす商用車・建機・農機ビジネスの変化

 

本白書では、商用車・建機・農機の電子化に関するマーケットと、電子系システムへの過酷な要求を満足するインフィニオンのソリューションを紹介します。

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ウェビナー 商用車の電動化

 

本ウェビナーで、商用車の電動化のトレンドと、半導体によるシステムソリューションをご覧下さい。

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図
シミュレーション
トレーニング

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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