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概要

1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール

CoolSiC™ MOSFET, NTC, PressFIT 圧接技術によるEasyDUAL™ 2B 1200V, 8mΩ ハーフブリッジモジュール

特長

  • 高い電流密度
  • クラスで最も低いスイッチング損失、導通損失
  • 低誘導設計
  • RoHS準拠

利点

  • 高い効率性により冷却を簡素化可能
  • 高効率動作
  • 高い電力密度
  • 顧客の開発サイクルおよび市場投入までの時間を短縮

推奨アプリケーション例

ウェビナー 商用車の電動化

 

本ウェビナーで、商用車の電動化のトレンドと、半導体によるシステムソリューションをご覧下さい。

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変わりつつある商用車 - 電子化が引き起こす商用車・建機・農機ビジネスの変化

 

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図
シミュレーション
トレーニング
29:16

SiC MOSFETモジュールおよびSiC MOSFETモジュール用のゲートドライバの選び方

シリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーエレクトロニクスにあらゆる可能性を提供します。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用し、システムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いでしょうか。本トレーニングでは、次のことが学べます：お客様のSiC MOSFET用に基準ゲート抵抗値を算出する方法。ピーク電流と消費電力の要件をもとに最適なゲートドライバICを選択する方法。最悪の条件下を想定し、実験室の環境でゲート抵抗値を微調整する方法。

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