リアルとデジタルの世界をひとつにFF6MR12W2M1_B70
概要
CoolSiC™ MOSFET、NTC温度センサー、PressFITコンタクト技術、窒化アルミニウムセラミック搭載 1200V/6mΩEasyDUAL™ 2B ハーフブリッジモジュール。
特長
- 高性能窒化アルミニウムセラミック
- 1200VのCoolSiC™トレンチMOSFET技術
- クラス最高のEasyモジュールパッケージ
- ハーフブリッジ構成
- PressFITピン技術
利点
- DCB材料の熱伝導性の向上 - RthJH40%向上
- CoolSiC™ MOSFETのゲート酸化膜の優れた信頼性
- Power density and compact design
- モジュールとヒートシンク間の空乏化を最小化
- インバータ設計における高い自由度
- 長寿命かつ冷却の手間を低減
図
シミュレーション
トレーニング
サポート
