FF4MR12W2M1HP_B11 1200 V CoolSiC™ MOSFET ハーフブリッジ モジュール

概要

EasyDUAL™ 2B 1200 V/4 mΩ CoolSiC™ MOSFET M1H ハーフブリッジモジュール：NTC温度センサ内蔵、熱伝導材料塗布済み、PressFITコンタクト技術搭載。

特長

  • 高さ12 mmに統一された最高クラスのパッケージ
  • 最先端WBG材料
  • きわめて低い浮遊インダクタンス
  • 進化したCoolSiC™ MOSFET MH1技術
  • 推奨ゲート駆動電圧範囲を拡大
  • 電圧範囲: 15～18 V および 0～-5 V
  • 最大ゲートソース間電圧を拡大
  • 最大ゲートソース間電圧を+23 V/-10 V
  • 過負荷時の最大温度 Tvjop 175 °C
  • NTC温度センサ内蔵

利点

  • 卓越したモジュール効率
  • システムコストの低減
  • システム効率向上
  • 冷却コストの低減
  • 高周波駆動が可能
  • 高い電力密度
図
ビデオ

PressFIT テクノロジー

パワーエレクトロニクスのお客様は、より高い温度や新しいアプリケーションに対応するため、高い信頼性を備えた最新の簡単な接合技術を必要としています。

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