リアルとデジタルの世界をひとつにFF45MR12W1M1_B11
概要
Dual 1200V CoolSiC™ MOSFET モジュール
CoolSiC™ MOSFET、NTC、PressFIT接合テクノロジーを使用したEasyDUAL™ 1B 1200V, 45mΩ ハーフブリッジモジュール
新世代のCoolSiC™ M1H製品FF33MR12W1M1H_B11は近日発売予定です。
特長
- 大電流密度
- 同製品クラスでもっとも低いスイッチング損失、導通損失
- 低誘導設計
- RoHS対応モジュール
利点
- 高効率なため冷却の手間を削減
- 高効率動作
- 高電力密度
- 顧客の開発サイクルとコストを最適化
図
シミュレーション
トレーニング
サポート
